公开(公告)号：CN111244761A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010066837.1

申请日：2020-01-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张晓蕾 ,  王庶民 ,  岳丽

IPC: H01S5/343 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00

Abstract: 本申请提供一种GaSb基InSb量子点及其制备方法，该GaSb基InSb量子点的制备方法包括以下步骤：获取GaSb衬底；将GaSb衬底放入分子束外延生长室进行脱氧处理；在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上生长AlAs形核层；在AlAs形核层上生长InSb量子点层。本申请实施例提供的GaSb基InSb量子点的制备方法中，在生长InSb量子点之前先生长原子层尺度的AlAs层，利用AlAs和GaSb之间较大的晶格失配以及表面能差异来形成有效的AlAs形核层；该制备方法既可以改变InSb量子点成核界面的阴离子类型又可以增加InSb量子点生长界面的粗糙度，二者都可以降低In原子的扩散长度，提高InSb量子点的形核中心，从而提高InSb量子点的密度。

公开(公告)号：CN111244761B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202010066837.1

申请日：2020-01-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张晓蕾 ,  王庶民 ,  岳丽

IPC: H01S5/343 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00

Abstract: 本申请提供一种GaSb基InSb量子点及其制备方法，该GaSb基InSb量子点的制备方法包括以下步骤：获取GaSb衬底；将GaSb衬底放入分子束外延生长室进行脱氧处理；在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上生长AlAs形核层；在AlAs形核层上生长InSb量子点层。本申请实施例提供的GaSb基InSb量子点的制备方法中，在生长InSb量子点之前先生长原子层尺度的AlAs层，利用AlAs和GaSb之间较大的晶格失配以及表面能差异来形成有效的AlAs形核层；该制备方法既可以改变InSb量子点成核界面的阴离子类型又可以增加InSb量子点生长界面的粗糙度，二者都可以降低In原子的扩散长度，提高InSb量子点的形核中心，从而提高InSb量子点的密度。