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公开(公告)号：CN117040499A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310904329.X
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种动态比较器及其失调校准方法。所述动态比较器包括：控制模块，生成比较时钟信号和校准控制信号；电压比较模块，基于所述比较时钟信号比较输入电压的大小并输出电压比较结果，所述电压比较模块的输入电路包括第一输入管和第二输入管，所述第一输入管的门极与第一输入电压连接，所述第二输入管的门极与第二输入电压连接；失调校准模块，基于所述比较时钟信号和校准控制信号调节所述第一输入管和第二输入管的衬底偏置电压，对输入失调电压进行补偿。本发明能够小面积、低功耗的对失调电压进行校准，提高动态电压比较器的精度。
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公开(公告)号：CN111725204B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910650174.5
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种具有双向SCR结构的ESD保护器件，包括：第一N阱、第二N阱、P阱和多晶硅层；利用所述多晶硅层进行隔离，通过所述第一P+注入区、所述第一N阱、所述P阱和所述第二N+注入区构成SCR1通路，以及通过所述第三P+注入区、所述第二N阱、所述P阱和所述第四N+注入区构成SCR2通路，所述SCR1通路和所述SCR2通路为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，本发明所述保护器件实现了单器件对于输入/输出端口的双向ESD保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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公开(公告)号：CN111725205B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910650593.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件，包括N阱和P阱，所述N阱和所述P阱相邻设置；通过所述第二P+注入区和所述第二N+注入区构成T1端口，以及所述第一P+注入区和所述第一N+注入区构成T2端口，所述第二P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第一N+注入区形成SCR1通路，所述第一P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第二N+注入区形成SCR2通路；所述SCR1和所述SCR2通路呈对角线型结构，为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，实现了单器件对于输入/输出端口的双向保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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公开(公告)号：CN110535467A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910687426.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种逐步逼近型模数转换装置的电容阵列校准方法和装置，其中电容阵列校准方法包括以下步骤：比较第一电容与第二电容，并输出比较值，第一电容为电容阵列中的被校准电容，第二电容的容值等于第一电容的容值的理想值；第一电容大于第二电容时，比较值为低电平，增大第二电容的值，对第二电容的容值进行补偿，并在补偿后再次比较第一电容与第二电容，直至比较值发生变化；第一电容小于第二电容时，比较值为高电平，增大第一电容的值，对第一电容的容值进行补偿，并在补偿后再次比较第一电容与第二电容，直至比较值发生变化；根据停止补偿时第一电容或第二电容的容值的变化量，判断第一电容是否失配，并确定第一电容的实际值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111725205A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910650593.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件，包括N阱和P阱，所述N阱和所述P阱相邻设置；通过所述第二P+注入区和所述第二N+注入区构成T1端口，以及所述第一P+注入区和所述第一N+注入区构成T2端口，所述第二P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第一N+注入区形成SCR1通路，所述第一P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第二N+注入区形成SCR2通路；所述SCR1和所述SCR2通路呈对角线型结构，为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，实现了单器件对于输入/输出端口的双向保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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公开(公告)号：CN110401444A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910558207.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种异步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路，包括：异步时钟生成电路，用于根据所述异步时钟ADC电路的比较器的输出和反向输出生成一异步时钟信号，作为所述异步时钟ADC电路的比较器的时钟信号输入至所述异步时钟ADC电路的比较器的时钟信号输入端；亚稳态标志信号生成电路，输出端连接至所述异步时钟生成电路，用于向所述异步时钟生成电路输出由所述异步时钟信号确定的亚稳态标志信号，使在所述异步时钟信号异常时，输出至所述异步时钟生成电路的亚稳态标志信号使得所述异步时钟生成电路输出的时钟信号恒为零，比较器复位。
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公开(公告)号：CN110401443A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910558206.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种同步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路，包括：亚稳态标志信号生成电路，用于连接至所述同步时钟ADC电路的比较器的输出端，根据所述比较器的输出和反向输出生成亚稳态标志信号，以控制同步时钟信号的生成，所述同步时钟信号用于供给所述比较器，给所述比较器提供比较时钟；同步时钟信号生成电路，连接至所述亚稳态标志信号生成电路的输出端，用于根据所述亚稳态标志信号生成同步时钟信号，所述同步时钟信号生成电路还连接至所述比较器，将生成的同步时钟信号供给所述比较器，且所述比较器处于亚稳态时，所述同步时钟信号为低电平。
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公开(公告)号：CN111725204A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910650174.5
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种具有双向SCR结构的ESD保护器件，包括：第一N阱、第二N阱、P阱和多晶硅层；利用所述多晶硅层进行隔离，通过所述第一P+注入区、所述第一N阱、所述P阱和所述第二N+注入区构成SCR1通路，以及通过所述第三P+注入区、所述第二N阱、所述P阱和所述第四N+注入区构成SCR2通路，所述SCR1通路和所述SCR2通路为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，本发明所述保护器件实现了单器件对于输入/输出端口的双向ESD保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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公开(公告)号：CN117014009A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310905362.4
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SAR ADC单粒子翻转检测系统，包括：电荷再分配型逐次逼近式模数转换器和检测电路，所述检测电路包括不少于一个检测单元，用来在所述逐次逼近式模数转换器完成对输入信号的采样量化后再进行一次电荷分配和电压比较，来检测所述逐次逼近式模数转换器的残差电压是否正常收敛，进而判断是否发生单粒子翻转；所述检测电路的第一端口与所述比较器的输入端口连接，所述检测电路的第二端口与所述逻辑控制电路的输出端口连接。本发明以简单的电路逻辑、较小的面积损失对系统是否发生单粒子翻转进行检测。
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