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公开(公告)号:CN1866007B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200610026523.9
申请日:2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用,其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体,在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器,压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层,其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力,引起悬臂梁弯曲,进而产生弯曲应力,该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测,并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构,本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高,结构简单、制作简便。
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公开(公告)号:CN1866002B
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN200610026520.5
申请日:2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/22
Abstract: 本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法,特征在于所述的敏感膜的组成材料为6-巯基尼古丁酸(6-MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(-NO2)或硝酸酯基(-ONO2)的爆炸物敏感,可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰,形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点,在敏感性能方面明显优于国外使用的4-巯基苯甲酸(4-MBA)单分子层敏感膜,能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气,可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。
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公开(公告)号:CN100425524C
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200610023320.4
申请日:2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电磁激励高阶模态谐振硅微机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用,属微机械传感器技术领域;其特征在于采用与悬臂梁高阶谐振模态的振动函数曲线相匹配的优化布置电磁激励线圈,产生与该模态悬臂梁相应位置运动方向相同的洛伦兹力驱动悬臂梁振动,更好地激励悬臂梁的高阶谐振模态,提高悬臂梁的品质因数和质量分辨率;同时用溅射制作与驱动铝线圈布局一致,但有足够的宽度和厚度的铬薄膜,确保完全覆盖在铝线圈的表面和侧壁,形成良好的保护,避免了传统介质钝化层淀积后形成的应力引起的悬臂梁谐振频率的变化,同时实现了驱动线圈的有效可靠保护;本发明特点是结构简单、制作方便、容易实现。
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公开(公告)号:CN1866002A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610026520.5
申请日:2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法,特征在于所述的敏感膜的组成材料为6-巯基尼古丁酸(6-MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(-NO2)或硝酸酯基(-ONO2)的爆炸物敏感,可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰,形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点,在敏感性能方面明显优于国外使用的4-巯基苯甲酸(4-MBA)单分子层敏感膜,能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气,可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。
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公开(公告)号:CN1880211A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200610023320.4
申请日:2006-01-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电磁激励高阶模态谐振硅微机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用,属微机械传感器技术领域;其特征在于采用与悬臂梁高阶谐振模态的振动函数曲线相匹配的优化布置电磁激励线圈,产生与该模态悬臂梁相应位置运动方向相同的洛伦兹力驱动悬臂梁振动,更好地激励悬臂梁的高阶谐振模态,提高悬臂梁的品质因数和质量分辨率;同时用溅射制作与驱动铝线圈布局一致,但有足够的宽度和厚度的铬薄膜,确保完全覆盖在铝线圈的表面和侧壁,形成良好的保护,避免了传统介质钝化层淀积后形成的应力引起的悬臂梁谐振频率的变化,同时实现了驱动线圈的有效可靠保护;本发明特点是结构简单、制作方便、容易实现。
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公开(公告)号:CN1866007A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610026523.9
申请日:2006-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用,其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体,在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器,压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层,其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力,引起悬臂梁弯曲,进而产生弯曲应力,该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测,并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构,本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高,结构简单、制作简便。
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