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公开(公告)号：CN101110428A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710043680.5
申请日：2007-07-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于MEMS领域的多层SOI材料及制备方法，其特征在于采用SOI(Silicon－On－Insulator绝缘体上的硅)材料或者具有类SOI的多层复合结构衬底，采用硅硅直接键合或熔融键合、结合研磨和抛光或者智能剥离的方法获得具有晶体硅层和绝缘埋层相叠分布的多层结构的SOI材料。该材料可便利的实现特定的MEMS复杂器件的制造，精确控制器件中的某些特征尺寸，从而完善SOI之于MEMS的应用。对于一些沟槽隔离的微机械加工的微电子器件，该材料也是其实现单片集成的有效解决方案。
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公开(公告)号：CN101106161A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710043618.6
申请日：2007-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L23/00 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L33/00 , H01S5/00
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料(SOI)或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍；且独立硅岛的中心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉，而其它部分的衬底硅和绝缘埋层给予保留，从而独立硅岛的中心区域悬空，悬空面积S2大于独立硅岛面积S1的70％，而小于90％。本发明所得到的中心悬空的顶层硅岛为氮化镓外延生长提供了超薄衬底，能有效减少异质外延的应力，提高外延生长氮化镓的晶体质量。
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公开(公告)号：CN1828913A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610023694.6
申请日：2006-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4，而大于S1/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。
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公开(公告)号：CN1763918A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510029396.3
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法，在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分，即背沟道引入重掺杂，通过分别调节前沟和背沟的阈值电压；在不影响前沟阈值电压的情况下，提高背沟阈值电压，使背沟区域的硅层很难反型形成沟道，降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，适用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN101428752A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810202861.2
申请日：2008-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物材料的生长方法，其特征在于包括如下步骤：选择一悬臂梁，所述悬臂梁具有一固定端和一自由端；在悬臂梁的上表面生长缓冲层，在缓冲层的表面生长III族氮化物层。本发明的优点在于，采用悬臂梁作为生长III族氮化物的衬底，由于悬臂梁仅一端固定，可以降低III族氮化物层中的应力，提高晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100356182C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510029225.0
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法，更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法，属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统，通过比对腐蚀顶层硅前后电容-电压曲线的方法，表征薄膜以及超薄SOI(Silicon-On-Insulator：绝缘体上的硅)材料的埋层氧化物电荷密度。该表征方法针对顶层硅厚度1μm以内的SOI圆片，具有简便易行、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。
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公开(公告)号：CN1734277A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510029225.0
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法，更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法，属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统，通过比对腐蚀顶层硅前后电容－电压曲线的方法，表征薄膜以及超薄SOI(Silicon－On－Insulator：绝缘体上的硅)材料的埋层氧化物电荷密度。该表征方法针对顶层硅厚度1μm以内的SOI圆片，具有简便易行、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。
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公开(公告)号：CN101304063A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810040172.6
申请日：2008-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的制作方法，包括下步骤：采用具有六方晶格的外延衬底；在外延衬底表面生长发光层；采用导电支撑衬底；将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光层键合；除去外延衬底。本发明的优点在于，采用具有六方晶像的外延衬底生长发光层，可以保证发光层的晶体质量；采用同导电支撑衬底键合并剥离外延衬底的方法，解决了外延衬底不导电、无法制作垂直结构的技术问题。
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公开(公告)号：CN100397651C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610023694.6
申请日：2006-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅——绝缘埋层——单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4，而大于S1/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。
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公开(公告)号：CN100373550C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510029396.3
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法，在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分，即背沟道引入重掺杂，通过分别调节前沟和背沟的阈值电压；在不影响前沟阈值电压的情况下，提高背沟阈值电压，使背沟区域的硅层很难反型形成沟道，降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，适用于商业化生产。
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