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公开(公告)号：CN117478111A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311426523.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/041 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路，包括低速支路和高速支路，所述低速支路和高速支路的输入端均与驱动芯片的输出端相连，输出端均与被控氮化镓功率器件的栅极相连，所述高速支路在开关切换时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的快速开关；所述低速支路在即将进入稳态时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的低栅压振荡。本发明能够同时实现高速开关和低栅压振荡。
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公开(公告)号：CN113422517B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110677108.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器，包括依次连接的原边全桥电路、谐振电路、变压器和副边全桥电路，所述谐振电路包括第一谐振电感、第二谐振电感和谐振电容；所述第一谐振电感的一端与所述原边全桥电路的第一输出端相连，另一端与所述第二谐振电感的一端相连；所述第二谐振电感的另一端与所述变压器原边侧的第一端相连，所述谐振电容的一端与所述第一谐振电感的另一端相连，另一端与所述变压器原边侧的第二端相连，所述谐振电容的另一端还与所述原边全桥电路的第二输出端相连；所述第一谐振电感和第二谐振电感的电感值相同。本发明双向均可实现软开关，并能够提高双向DC/DC变换器的功率密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115512959A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211128091.8
申请日：2022-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低漏感的平面变压器绕组绕制方法及平面变压器，其中绕制方法包括：根据原边绕组和副边绕组的匝数关系，计算分组参数，并基于分组参数进行分组，通过分组交错绕制得到低漏感的平面变压器。本发明通过合理排布原边绕组和副边绕组的位置，能够使任意匝数比的平面变压器获得最小漏感，降低了变压器损耗，提升系统效率。
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公开(公告)号：CN119584576A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411590362.0
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种增强型氮化镓高迁移率晶体管及制备方法，所述晶体管从下至上依次包括衬底、缓冲层、i‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN层以及栅介质层；源极和漏极分别与二维电子气形成欧姆接触，栅极与所述p‑GaN层形成肖特基接触，使栅极下方二维电子气耗尽实现常关；在所述栅极与所述漏极之间区域设有一电极，在所述电极下方设置薄层介质，与所述电极形成等效MIS栅结构；所述电极与所述源极在电气上相连。本发明器件的开关时间由S‑G1‑D组成的p‑GaN HEMT的开关速度决定，与传统Si MOS级联结构相比，具有快速开关且无反向恢复电荷的优点。同时器件的耐压又由S‑G2‑D组成的耗尽型MIS GaN HEMT决定，p‑GaN栅极不承受高压，因此器件具有高可靠性优势。
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公开(公告)号：CN119581426A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411590365.4
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种级联增强型氮化镓高迁移率晶体管结构及封装方法，将低压增强型氮化镓高迁移率晶体管和高压耗尽型氮化镓高迁移率晶体管通过3D堆叠封装而得。本发明利用低压增强型氮化镓高迁移率晶体管相比硅器件具有无反向恢复电荷和快速开关的特点，充分发挥出耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管本征性能优势，避免了由级联硅器件带来的开关速度负面影响。
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公开(公告)号：CN119918340A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411969571.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法，包括以下步骤：S0获取目标励磁电感和目标漏感；S1计算达到目标励磁电感所需的磁芯气隙长度；S2通过有限元仿真得到未开设气隙时磁芯窗口内的最大漏感Llk0_max和开设所述长度的气隙后的最大漏感Llk_max，进而计算出修正系数kgap；S3根据目标漏感和漏感Llk_max的大小，选择寄生电容较小的绕组排布或全部绕组排布遍历计算，获得匹配目标漏感的最优绕组排布。本发明能够实现低成本、小体积、且版图设计简单的磁集成平面变压器。
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公开(公告)号：CN113422517A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110677108.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器，包括依次连接的原边全桥电路、谐振电路、变压器和副边全桥电路，所述谐振电路包括第一谐振电感、第二谐振电感和谐振电容；所述第一谐振电感的一端与所述原边全桥电路的第一输出端相连，另一端与所述第二谐振电感的一端相连；所述第二谐振电感的另一端与所述变压器原边侧的第一端相连，所述谐振电容的一端与所述第一谐振电感的另一端相连，另一端与所述变压器原边侧的第二端相连，所述谐振电容的另一端还与所述原边全桥电路的第二输出端相连；所述第一谐振电感和第二谐振电感的电感值相同。本发明双向均可实现软开关，并能够提高双向DC/DC变换器的功率密度。
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