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公开(公告)号：CN111725205A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910650593.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件，包括N阱和P阱，所述N阱和所述P阱相邻设置；通过所述第二P+注入区和所述第二N+注入区构成T1端口，以及所述第一P+注入区和所述第一N+注入区构成T2端口，所述第二P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第一N+注入区形成SCR1通路，所述第一P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第二N+注入区形成SCR2通路；所述SCR1和所述SCR2通路呈对角线型结构，为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，实现了单器件对于输入/输出端口的双向保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111725204A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910650174.5
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种具有双向SCR结构的ESD保护器件，包括：第一N阱、第二N阱、P阱和多晶硅层；利用所述多晶硅层进行隔离，通过所述第一P+注入区、所述第一N阱、所述P阱和所述第二N+注入区构成SCR1通路，以及通过所述第三P+注入区、所述第二N阱、所述P阱和所述第四N+注入区构成SCR2通路，所述SCR1通路和所述SCR2通路为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，本发明所述保护器件实现了单器件对于输入/输出端口的双向ESD保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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公开(公告)号：CN111725204B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910650174.5
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种具有双向SCR结构的ESD保护器件，包括：第一N阱、第二N阱、P阱和多晶硅层；利用所述多晶硅层进行隔离，通过所述第一P+注入区、所述第一N阱、所述P阱和所述第二N+注入区构成SCR1通路，以及通过所述第三P+注入区、所述第二N阱、所述P阱和所述第四N+注入区构成SCR2通路，所述SCR1通路和所述SCR2通路为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，本发明所述保护器件实现了单器件对于输入/输出端口的双向ESD保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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公开(公告)号：CN111725205B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910650593.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件，包括N阱和P阱，所述N阱和所述P阱相邻设置；通过所述第二P+注入区和所述第二N+注入区构成T1端口，以及所述第一P+注入区和所述第一N+注入区构成T2端口，所述第二P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第一N+注入区形成SCR1通路，所述第一P+注入区、所述N阱、所述P阱和所述第二N+注入区形成SCR2通路；所述SCR1和所述SCR2通路呈对角线型结构，为芯片在各个方向的脉冲均提供了保护，实现了单器件对于输入/输出端口的双向保护，减少了完整ESD保护电路所需的器件数，版图面积大大缩减，降低了相应的寄生效应，另外，对于输出信号幅度高于电源电压或低于地线电压的电路，由于存在反偏PN结，亦不会出现漏电。
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公开(公告)号：CN111725206A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910691004.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路。其中，本发明提供的PMOS触发的SCR器件，包括埋氧化层，还包括依次设于埋氧化层表面的第一P+注入区、N阱区、P+注入触发区、P阱区和第一N+注入区，第一P+注入区连接于阳极，第一N+注入区连接于阴极，N阱区的远离埋氧化层的一侧设有栅极结构。具有如下有益效果：SCR的导通不依赖于传统结构中N阱和P阱之间结的反向击穿,而是通过开启PMOS管引入沟道电流，大大降低了SCR的触发电压；加快了SCR的开启速度，具备有效性和敏捷性；大大改善了SCR的ESD保护性能。
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