公开(公告)号：CN117595077A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311517087.5

申请日：2023-11-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘若涛 ,  龚谦 ,  张韵雯 ,  王坤 ,  吴健初

IPC: H01S5/343 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种利用砷压调控砷化铟量子点发光波长的方法，该方法利用砷化铟量子点发光波长随砷压变化发生改变的规律，通过分析测得的砷压‑峰值发光波长曲线，从而得到生长目标发光波长砷化铟量子点样品所需要的砷压。本发明对在实际应用中调控量子点的发光波长具有重要的意义。

公开(公告)号：CN117587503A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311490778.0

申请日：2023-11-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王坤 ,  龚谦 ,  刘若涛 ,  吴健初 ,  张韵雯

IPC: C30B23/02 ,  G01K13/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种分子束外延中标定衬底温度的方法，本发明可以精确掌控分子束外延中的衬底温度，在样品架热偶失效的情况下也可以对衬底实际温度进行测量，对于分子束外延尤其是生长温度区间较窄的材料具有重要的实际应用价值。

公开(公告)号：CN117518226A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311337911.9

申请日：2023-10-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张韵雯 ,  龚谦 ,  刘若涛 ,  王坤 ,  吴健初

IPC: G01T1/29 ,  C30B25/16 ,  C30B29/42

Abstract: 本发明涉及一种分子束外延中标定砷源炉束流大小的方法，包括：(1)测得不同砷阀门大小下的束流值；(2)使用不同的砷束流，测试砷化镓衬底表面发生再构转变现象时的温度，建立砷的束流与再构转变温度的关系曲线；(3)根据再构转变的温度确定砷的束流值。本发明可以精确获得分子束外延中砷束流的准确值，对于分子束外延尤其是需要两个V族源的合金生长具有重要的实际应用价值。