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公开(公告)号：CN102485639A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110298262.7
申请日：2011-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸发或溅射钛、金膜，并去除非键合区域的所述非晶硅层、及钛、金膜；然后，将上、下基板的键合面对准并贴合后，送入键合机，升温至250~300℃，并施加0.2~0.4MPa的压力，冷却到室温；最后，将从键合机取出的键合至一起的上、下基板送入退火炉，退火3~12小时，冷却到室温，完成金诱导非晶硅结晶的低温键合。本发明的低温键合方法不仅适用于硅圆片的键合，还可以用于非硅圆片的键合，并且由于低温的特性，具有很广的应用范围。
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公开(公告)号：CN102485639B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110298262.7
申请日：2011-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸发或溅射钛、金膜，并去除非键合区域的所述非晶硅层、及钛、金膜；然后，将上、下基板的键合面对准并贴合后，送入键合机，升温至250~300℃，并施加0.2~0.4MPa的压力，冷却到室温；最后，将从键合机取出的键合至一起的上、下基板送入退火炉，退火3~12小时，冷却到室温，完成金诱导非晶硅结晶的低温键合。本发明的低温键合方法不仅适用于硅圆片的键合，还可以用于非硅圆片的键合，并且由于低温的特性，具有很广的应用范围。
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公开(公告)号：CN102486972B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110257242.5
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接梁及触点构成。本发明可利用左右两对独立的驱动电极对单个可动微机械结构驱动来实现对两个微波传输线进行各自独立的控制，组成多种传输模式。同时依靠利用折叠梁的扭转来实现开关断开与闭合、控制折叠梁的厚度及缩短驱动电极间距三种手段，能够使双通道射频MEMS开关的驱动电压低于5V。此外，本发明采用键合技术制作的单晶硅折叠梁，消除了因残余应力发生的翘曲现象，提高成品率。
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公开(公告)号：CN102486972A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110257242.5
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接梁及触点构成。本发明可利用左右两对独立的驱动电极对单个可动微机械结构驱动来实现对两个微波传输线进行各自独立的控制，组成多种传输模式。同时依靠利用折叠梁的扭转来实现开关断开与闭合、控制折叠梁的厚度及缩短驱动电极间距三种手段，能够使双通道射频MEMS开关的驱动电压低于5V。此外，本发明采用键合技术制作的单晶硅折叠梁，消除了因残余应力发生的翘曲现象，提高成品率。
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公开(公告)号：CN101476941A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810202157.7
申请日：2008-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成微机械热电堆红外探测系统及制作方法，所述的系统包括热电堆探测器和信号处理电路两大部分。其中信号处理电路包括前置放大器，带通滤波器，主放大器和振荡器四部分。特征在于实现了热电堆探测器和信号处理电路的单片集成设计和制作。使用标准的CMOS工艺同时制作热电堆探测器和信号处理电路，实现了MEMS传感器和CMOS电路的兼容。系统中的热电堆探测器结构，包括(硅)基体，框架，热电偶，支撑臂，红外吸收层，腐蚀开口等六部分；中间悬浮的红外吸收层可以带有不同形状的腐蚀开口，干法刻蚀工作气体通过腐蚀开口进入衬底腐蚀硅释放结构。系统中的信号处理电路结构使用了斩波技术削弱低频噪声对信号的影响。
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