公开(公告)号：CN111739799B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010553375.6

申请日：2020-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘晓博 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法，包括：将衬底预处理，沉积第一层钝化层；刻蚀，形成凹槽，然后沉积源极和漏极欧姆接触金属，并退火形成欧姆接触；对器件刻蚀；在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积，随后对第一层钝化层和第二层钝化层进行刻蚀，预处理后沉积栅极金属；在器件表面沉积第三层钝化层，退火，然后刻蚀，沉积加厚金属；沉积第四层钝化，将需要制版连线部位上的钝化层刻蚀，漏出加厚金属，并制备连线。该方法简单、易操作、成本低廉，能够有效减小器件漏电。

公开(公告)号：CN111739799A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010553375.6

申请日：2020-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘晓博 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种硅基氮化镓微波器件及制备方法，包括：将衬底预处理，沉积第一层钝化层；刻蚀，形成凹槽，然后沉积源极和漏极欧姆接触金属，并退火形成欧姆接触；对器件刻蚀；在第一层钝化层及欧姆接触上进行第二层钝化层的淀积，随后对第一层钝化层和第二层钝化层进行刻蚀，预处理后沉积栅极金属；在器件表面沉积第三层钝化层，退火，然后刻蚀，沉积加厚金属；沉积第四层钝化，将需要制版连线部位上的钝化层刻蚀，漏出加厚金属，并制备连线。该方法简单、易操作、成本低廉，能够有效减小器件漏电。