公开(公告)号：CN111662641B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010628968.4

申请日：2020-06-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新安纳电子科技有限公司 ,  浙江新创纳电子科技有限公司

Inventor： 刘卫丽 ,  冯道欢 ,  宋志棠

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％‑30wt％；保护剂0wt％‑10wt％；表面活性剂0wt％‑10wt％；氧化剂0.001wt％‑10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。

公开(公告)号：CN111662641A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010628968.4

申请日：2020-06-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新安纳电子科技有限公司 ,  浙江新创纳电子科技有限公司

Inventor： 刘卫丽 ,  冯道欢 ,  宋志棠

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％-30wt％；保护剂0wt％-10wt％；表面活性剂0wt％-10wt％；氧化剂0.001wt％-10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。

公开(公告)号：CN112920716A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110102158.X

申请日：2021-01-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李程兴 ,  蔡道林 ,  刘卫丽 ,  宋志棠 ,  冯道欢

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法，包括磨料、氧化剂、添加剂、络合剂以及去离子水。本发明可以显著的提高氮化钛的抛光速率，获得平滑的抛光后表面，使用方法简单，具有良好的市场应用前景。

公开(公告)号：CN111925731A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010722551.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新安纳电子科技有限公司 ,  浙江新创纳电子科技有限公司

Inventor： 刘卫丽 ,  冯道欢 ,  宋志棠

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用，所述复合磨料以碳酸钙纳米颗粒为核，二氧化硅颗粒为壳。本发明具有独特的结构和性能，相比纯硅溶胶而言，对硅片、氧化硅片、二氧化硅层、氮化硅层等介质层材料的抛光速率更快；相比氧化铝磨料而言，对介质层材料的抛光后的表面质量更好，具有良好的应用前景。