-
公开(公告)号：CN120012688A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411877558.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种SOI射频器件低温模型建模方法，包括：对射频器件在各温度下的直流特性进行建模；建立用于低温S参数仿真的小信号等效电路图；根据小信号等效电路图，从不同温度下的射频实测数据中提取小信号参数；将不同温度提取出来的上述参数进行建模，建立这些参数与温度之间的关系并写入SPICE网表；建立Ft,Fmax与温度之间的联系。本发明针对低温情况，采用不同温度下的提取数据进行建模，建立Ft,Fmax与温度之间的联系，使其能够适用于低温环境。
-
公开(公告)号：CN112699629B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011600780.5
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明提供了一种变容二极管漏电电流的建模方法，包括如下步骤：提取拟合电压系数和尺寸拟合系数，建立正向漏电电流模型；提取宽长拟合系数和趋势拟合系数，建立反向漏电电流模型；拟合不同温度下的模型参数，建立温度模型；反馈验证。本发明针对变容二极管的漏电IV特性曲线进行物理特性与数学方法相结合的拟合，因此模型更为准确。
-
公开(公告)号：CN120012687A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411877556.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种FDSOI器件的射频建模方法，包括如下步骤：对RF器件的直流特性进行建模；寻找划分自加热效应和衬底效应的分离频率；在高于分离频率的状态下，对栅网络进行建模，提取栅寄生网络参数；在高于分离频率的状态下，对衬底效应进行建模，提取衬底网络参数；在高于分离频率的状态下，对自加热效应进行建模，提取自加热参数。本发明全频段存在的自加热效应，衬底效应及栅网络等效应，首先获得分离频率，再根据分离频率进行高频建模，因此可以建立了一种全频段模型，提高了建模的准确性。
-
公开(公告)号：CN117807923A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311605313.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/33 , G06F30/367 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种采用反应‑扩散机理的器件老化模型以及建模方法。所述模型包括退化阶段模型与恢复阶段模型，退化阶段模型和恢复阶段模型均分为第一周期和后续周期，第一周期的退化阶段模型采用第一时间指数描述阈值电压的变化，第一周期的恢复阶段模型采用第二时间指数描述阈值电压的变化；后续周期的退化阶段模型和恢复阶段模型均采用第二时间指数描述阈值电压的变化。本发明的模型将第一周期的退化阶段和后续阶段区别对待，可以拟合不同周期的器件情况，并且在不同的电压偏置下都有较好的拟合结果。
-
公开(公告)号：CN115859790A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211475291.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/27 , G06N3/08 , G06N3/0442 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种动态老化过程在线预测方法，包括如下步骤：测试及阈值电压提取；以及建立模型及在线预测；所述建立模型及在线预测的步骤中，动态老化模型包括退化模型和恢复模型，通过选定的基准数据第一周期作为训练集输入LSTM神经网络训练建立，预测分别使用基准数据的后续周期和其余条件下的数据，验证准确性和普遍性。本发明基于机器学习数据驱动方法，针对PDSOI器件的特点，对动态老化过程进行在线预测，补充了NBTI恢复情况的预测，改进了已积累历史退化量器件的退化预测，结果具有准确性和普遍性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115543009A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211207132.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明提供了一种电流镜，包括参考端晶体管和输出端晶体管，两晶体管的栅极相互连接，源极均接电路的最低电位或最高电位，参考端晶体管的漏极为电流镜的电流输入端，输出端晶体管的漏极为电流镜的电流输出端；还包括一电压运算放大器，所述电压运算放大器的正输入端与电流镜的电流输入端连接，负输入端与电流镜的电流输出端连接，输出端与两晶体管的栅极连接。上述技术方案通过引入电压运算放大器，解决了由于参考端与输出端电压不一致而造成镜像电流的精度问题。运算放大器的引入在电流镜内部构成了负反馈，使两晶体管的栅极能够在电路上电后快速且自适应地达到稳压状态。运算放大器的差分输入端能够有效改善电流镜的噪声。
-
公开(公告)号：CN115270667A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210818863.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/30
Abstract: 本发明提供了一种全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法，包括如下步骤：将MOSFET源极、漏极短接并提供交流电压小信号，在背栅提供直流偏置，直流偏置使沟道区处在积累和反型状态，并在上述两状态下分别测量MOSFET在栅极的交流电流小信号，得出沟道电容Cgc；将MOSFET的源极、漏极与背栅短接并提供交流电压小信号，在MOSFET的栅极测量交流电流小信号，得到栅极电容Cgg；根据测得的沟道电容Cgc和栅极电容Cgg计算得出前栅氧化层电容Cox与埋氧层电容Cbox。本发明根据全耗尽SOI衬底的特点对电容模型进行重建，能够准确的提取采用FDSOI衬底的MOSFET前栅氧化层和埋氧层电容。
-
公开(公告)号：CN115236400A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210853979.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种自加热效应建模与参数提取方法，包括如下步骤：设计自加热效应测量结构；对器件栅极电阻进行交流阻抗测试；对器件功率进行动态扫描，同时测量器件的栅极电阻变化情况；绘制温度‑功率曲线，并从中提取器件热阻。本发明通过引入交流阻抗测量，只需额外的两个栅极电阻测量端口，减少了对器件的测量端口需求，同时栅极的偏置不会存在电势分布不均导致器件的自加热效应表征产生偏移。
-
公开(公告)号：CN112685983A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011600789.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F30/33 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供了一种片上电容的建模方法，所述电容为插指电容，包括如下步骤：提取主电容拟合系数，并计算主电容；提取拐角电容拟合系数，并计算拐角电容；提取边缘寄生电容拟合系数，并计算边缘寄生电容；提取版图寄生电容；反馈验证。本发明针对集成电路片上电容器的物理特性结合数学公式建立细致提取流程，提供可靠的器件建模方法和模型。
-
公开(公告)号：CN116413566A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111674038.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种MOS晶体管老化模型的提取方法，包括如下步骤：建立阈值电压与界面陷阱电荷密度和固定陷阱电荷密度的关系；提取阈值电压与界面陷阱电荷密度的关系；提取恢复过程中界面陷阱积累系数；当器件处于首个应力下，近似忽略固定陷阱电荷，以界面陷阱电荷密度对阈值电压表征；器件处于首个恢复阶段，近似忽略固定电荷贡献，提取界面电荷密度随恢复时间的数值关系；后续应力阶段，提取固定电荷对应力老化阶段的贡献；后续恢复阶段，提取固定电荷对恢复阶段的贡献。本发明根据半导体器件的实际特点，在不同的电压偏置条件下针对不同类型的电荷建立相关模型，具有很好的表征能力，在多次老化循环应力下可以被固定电荷贡献度很好的表征。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.032 seconds)
