-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103075954B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210573818.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器传统加工过程中制造精度低、特殊结构图形转移易失真等技术难题。该方法可以提高加工过程中的制造精度，实现利用微纳制造方法来加工大尺寸曲面结构器件，利用该方法制造的曲面结构电场式时栅角位移传感器具有精度高、测量范围大、分辨率高、可靠性好、成本低等特点。
-
公开(公告)号：CN103075954A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210573818.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器传统加工过程中制造精度低、特殊结构图形转移易失真等技术难题。该方法可以提高加工过程中的制造精度，实现利用微纳制造方法来加工大尺寸曲面结构器件，利用该方法制造的曲面结构电场式时栅角位移传感器具有精度高、测量范围大、分辨率高、可靠性好、成本低等特点。
-
公开(公告)号：CN104557353B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410775599.6
申请日：2014-12-17
Applicant: 中北大学
IPC: C06C5/00
Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。
-
公开(公告)号：CN104557353A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410775599.6
申请日：2014-12-17
Applicant: 中北大学
IPC: C06C5/00
Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。
-
公开(公告)号：CN204325183U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420794825.0
申请日：2014-12-17
Applicant: 中北大学
IPC: C06C5/00
Abstract: 本实用新型提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本实用新型具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.015 seconds)
