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公开(公告)号：CN103075954B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210573818.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器传统加工过程中制造精度低、特殊结构图形转移易失真等技术难题。该方法可以提高加工过程中的制造精度，实现利用微纳制造方法来加工大尺寸曲面结构器件，利用该方法制造的曲面结构电场式时栅角位移传感器具有精度高、测量范围大、分辨率高、可靠性好、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN103592466B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310637072.2
申请日：2013-12-03
Applicant: 中北大学
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及MEMS加速度传感器的标定校准技术，具体是一种自动批量化MEMS加速度传感器静态翻滚试验装置。本发明解决了现有MEMS加速度传感器静态标定测试设备标定校准耗时多、标定校准效率低、以及标定校准能力有限的问题。自动批量化MEMS加速度传感器静态翻滚试验装置，包括自动加载平台、反馈式自动翻滚平台、控制系统、数据采集系统；所述自动加载平台包括竖直加载平台、水平加载平台、槽型底座；所述竖直加载平台包括左竖直电机、左竖直丝杠副、左竖直导轨副、左L型底板、右竖直电机、右竖直丝杠副、右竖直导轨副、右L型底板；所述反馈式自动翻滚平台包括半封闭槽型载台、倾角传感器。本发明适用于MEMS加速度传感器的标定校准。
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公开(公告)号：CN103592466A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310637072.2
申请日：2013-12-03
Applicant: 中北大学
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明涉及MEMS加速度传感器的标定校准技术，具体是一种自动批量化MEMS加速度传感器静态翻滚试验装置。本发明解决了现有MEMS加速度传感器静态标定测试设备标定校准耗时多、标定校准效率低、以及标定校准能力有限的问题。自动批量化MEMS加速度传感器静态翻滚试验装置，包括自动加载平台、反馈式自动翻滚平台、控制系统、数据采集系统；所述自动加载平台包括竖直加载平台、水平加载平台、槽型底座；所述竖直加载平台包括左竖直电机、左竖直丝杠副、左竖直导轨副、左L型底板、右竖直电机、右竖直丝杠副、右竖直导轨副、右L型底板；所述反馈式自动翻滚平台包括半封闭槽型载台、倾角传感器。本发明适用于MEMS加速度传感器的标定校准。
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公开(公告)号：CN103075954A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210573818.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器传统加工过程中制造精度低、特殊结构图形转移易失真等技术难题。该方法可以提高加工过程中的制造精度，实现利用微纳制造方法来加工大尺寸曲面结构器件，利用该方法制造的曲面结构电场式时栅角位移传感器具有精度高、测量范围大、分辨率高、可靠性好、成本低等特点。
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