公开(公告)号：CN103616739B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310668106.4

申请日：2013-12-07

Applicant: 中北大学

Inventor： 唐军 ,  刘俊 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  闫树斌 ,  商成龙 ,  段俊萍 ,  张天恩 ,  雷龙海 ,  谢成峰 ,  毛静 ,  李惠琴

IPC: G02B5/00 ,  G03F7/20 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明为一种圆片级聚合物光学微球腔的集成制造方法，解决了现有工艺过程繁琐、不能大面积有序可控制造、光学性能不突出的问题。本发明方法包括如下步骤：在圆形基片上制作圆柱基底；清洗基底，烘干；向圆柱基底上喷射NOA73光学胶；再经过曝光便可得到固化的NOA73光学微球腔；最后把锥形光纤与微球腔进行耦合，用AB胶把锥形光纤固定在两侧的圆柱基底上，便得到了光学微球腔的集成结构。本发明制得的NOA73光学微球腔具有成本低、制作过程简单、微球腔的大小可控以及光学性能优异等特点，并且最后和锥形光纤加以集成，得到了集成的光学微球腔结构。

公开(公告)号：CN103616739A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310668106.4

申请日：2013-12-07

Applicant: 中北大学

Inventor： 唐军 ,  刘俊 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  闫树斌 ,  商成龙 ,  段俊萍 ,  张天恩 ,  雷龙海 ,  谢成峰 ,  毛静 ,  李惠琴

IPC: G02B5/00 ,  G03F7/20 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明为一种圆片级聚合物光学微球腔的集成制造方法，解决了现有工艺过程繁琐、不能大面积有序可控制造、光学性能不突出的问题。本发明方法包括如下步骤：在圆形基片上制作圆柱基底；清洗基底，烘干；向圆柱基底上喷射NOA73光学胶；再经过曝光便可得到固化的NOA73光学微球腔；最后把锥形光纤与微球腔进行耦合，用AB胶把锥形光纤固定在两侧的圆柱基底上，便得到了光学微球腔的集成结构。本发明制得的NOA73光学微球腔具有成本低、制作过程简单、微球腔的大小可控以及光学性能优异等特点，并且最后和锥形光纤加以集成，得到了集成的光学微球腔结构。

公开(公告)号：CN104557353B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410775599.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 陈晓勇 ,  丑修建 ,  熊继军 ,  穆继亮 ,  安坤 ,  杨杰 ,  李惠琴 ,  许卓 ,  孙玉虹 ,  曹嘉峰

IPC: C06C5/00

Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。

公开(公告)号：CN104557353A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410775599.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 陈晓勇 ,  丑修建 ,  熊继军 ,  穆继亮 ,  安坤 ,  杨杰 ,  李惠琴 ,  许卓 ,  孙玉虹 ,  曹嘉峰

IPC: C06C5/00

Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。

公开(公告)号：CN104692318B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510134205.3

申请日：2015-03-26

Applicant: 中北大学

Inventor： 穆继亮 ,  陈晓勇 ,  熊继军 ,  丑修建 ,  安坤 ,  李惠琴

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  C06C9/00 ,  C06B27/00

Abstract: 本发明公开了一种复合类黑体聚能结构的含能金属桥膜MEMS点火器及其制备方法，该点火器自下而上依次包括SiO2底层、腔层、防漏SiO2层、二次辐射层、绝缘SiO2层、下电极Au层、CuO层、Al层和上电极Au层。SiO2底层、腔层、防漏SiO2层和二次辐射层构成类黑体聚能结构；腔层中腔的结构为中空锥形以汇聚能量、减少器件整体热容和使二次辐射层悬浮起来。CuO层和Al层构成含能金属桥膜。本发明增加类黑体聚能结构后，减少了含能金属桥膜MEMS点火器的热耗散，提高了点火输出；也缩短了热积累时间，从而减少点火延迟时间，提高了点火瞬发性；另外微加工实现容易，利于其集成。

公开(公告)号：CN204325183U

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201420794825.0

申请日：2014-12-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 陈晓勇 ,  丑修建 ,  熊继军 ,  穆继亮 ,  安坤 ,  李惠琴 ,  杨杰 ,  许卓 ,  孙玉虹 ,  曹嘉峰

IPC: C06C5/00

Abstract: 本实用新型提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本实用新型具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。