公开(公告)号：CN119880125A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510370013.6

申请日：2025-03-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  刘娟 ,  丑修建 ,  乔骁骏 ,  李晓黄 ,  王学文 ,  贺浩然 ,  张慧毅 ,  李稼禾 ,  汪子涵 ,  杨凌霄

IPC: G01H11/08

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种单端自由的复合悬臂梁振动传感器及其制备方法。为了解决现有技术中的振动传感器存在灵敏度较低的问题，故提供了一种新的单端自由的复合悬臂梁振动传感器，包括边框、中心质量块、四个H型悬臂梁以及连接梁，每个H型悬臂梁均由两个主梁和副梁组成，每个H型悬臂梁的两个主梁均与中心质量块的对应边平行布置，每个连接梁的一端均与对应的H型悬臂梁的其中一个主梁的中部外侧垂直连接，四个连接梁的另一端分别与中心质量块的四个角部连接，四个H型悬臂梁的一端部分别与边框的四条边垂直连接，主梁上均布置有功能电极。本发明所述的振动传感器具有更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN118765154A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411237493.0

申请日：2024-09-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  乔骁骏 ,  贺浩然 ,  张慧毅 ,  李晓黄 ,  王学文

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/30 ,  H10N30/01

Abstract: 本发明公开了一种硅基铌酸锂铁电单晶薄膜振动传感器的制备方法及应用，涉及半导体器件加工制造技术领域。具体为：采用PECVD法在Si‑LiNbO3键合片沉积一层SiO2薄膜层，采用磁控溅射、光刻和离子束刻蚀工艺对所需标记图案和金属电极进行制备，通过离子束刻蚀工艺和反应离子刻蚀工艺分别完成LiNbO3压电层和第二SiO2薄膜层的刻蚀；利用深硅刻蚀机完成正面Si基底的刻蚀。最后刻蚀背面空腔，利用深硅刻蚀机来完成器件释放。本发明设计合理，制造工艺简单，成品率高，产品能够在辐照环境下进行测试；该传感器有利于远距离信号传输，适用于高频微振动的测试环境；对于极端环境下的振动信息采集和设备异常检测提供了有力的帮助。