公开(公告)号：CN118497621A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410853822.8

申请日：2024-06-28

Applicant: 山西建龙实业有限公司 ,  中北大学

Inventor： 王超 ,  林瑞民 ,  刘承志 ,  康建光 ,  张俊峰 ,  袁亨兵 ,  王彦文 ,  张宏刚 ,  金华 ,  徐晓林 ,  杨杰 ,  徐建

IPC: C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C33/06 ,  C21D8/06

Abstract: 本发明公开了一种500MPa级耐火线棒材的生产工艺，属于钢铁冶金技术领域。耐火线棒材的化学成分按质量百分数计为：C：0.190‑0.210%，Si：0.360‑0.500%，Mn：1.30‑1.40%，P：≤0.035%，S：≤0.035%，V：0.035‑0.070%，Mo：0.300‑0.500%，Nb：0.013‑0.023%，Ti≤0.07%，余量为Fe以及不可避免的杂质。本发明通过控制合金含量及冶炼关键参数，采用“适当温度加热+轧后控冷”的工艺，能使钢主要形成贝氏体组织，并晶粒细化，提高线棒材强度性能及塑性，产品性能完全满足GB/T 37622‑2019的500MPa级耐火钢要求。

公开(公告)号：CN116272694A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310233533.3

申请日：2023-03-13

Applicant: 中北大学

Inventor： 李裕 ,  李潇潇 ,  杨杰 ,  路欣弛 ,  柳来栓

IPC: B01J8/24

Abstract: 本发明涉及磁性材料制备领域，具体涉及一种磁性颗粒表面包覆氧化硅保护层的装置和方法；在流化床反应器内将磁性颗粒流态化，首先对磁性颗粒表面均匀涂覆正硅酸乙酯，再通入湿气体使正硅酸乙酯逐步发生水解缩合反应，在磁性颗粒表面生成氧化硅水合物，最后通入干热气体进行脱醇和脱水，得到完美包覆的磁性硅基复合材料，本发明方法可以实现异相生长，避免自身成核，达到完美包覆的目的。本发明方法具有包覆均匀、包覆层可控、重复性好、绿色环保的优点。

公开(公告)号：CN104557353B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410775599.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 陈晓勇 ,  丑修建 ,  熊继军 ,  穆继亮 ,  安坤 ,  杨杰 ,  李惠琴 ,  许卓 ,  孙玉虹 ,  曹嘉峰

IPC: C06C5/00

Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。

公开(公告)号：CN104557353A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410775599.6

申请日：2014-12-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 陈晓勇 ,  丑修建 ,  熊继军 ,  穆继亮 ,  安坤 ,  杨杰 ,  李惠琴 ,  许卓 ,  孙玉虹 ,  曹嘉峰

IPC: C06C5/00

Abstract: 本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。

公开(公告)号：CN103245409B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310133886.2

申请日：2013-04-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 丑修建 ,  甄国涌 ,  薛晨阳 ,  张文栋 ,  陈婷婷 ,  杨杰

IPC: G01H11/08 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明涉及MEMS矢量水声传感器，具体是一种基于压电效应的MEMS仿生结构矢量水声传感器。本发明解决了现有MEMS矢量水声传感器抗流噪声性能差、灵敏度低、抗冲击性能差、质量重、声阻抗与水不匹配、以及加工制作困难的问题。基于压电效应的MEMS仿生结构矢量水声传感器包括基底、框形基座、悬臂梁、质量块、空心玻璃柱体、内侧PZT压电薄膜、以及外侧PZT压电薄膜；其中，框形基座的下端面键合于基底的上表面；悬臂梁的外端面固定于框形基座的内表面；质量块固定于悬臂梁的内端面，且质量块的上表面中央垂直开设有圆孔；空心玻璃柱体的下端键合于圆孔内；内侧PZT压电薄膜旋涂于悬臂梁的内端上表面。本发明适用于水声传感。

公开(公告)号：CN103245409A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310133886.2

申请日：2013-04-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 丑修建 ,  甄国涌 ,  薛晨阳 ,  张文栋 ,  陈婷婷 ,  杨杰

IPC: G01H11/08 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明涉及MEMS矢量水声传感器，具体是一种基于压电效应的MEMS仿生结构矢量水声传感器。本发明解决了现有MEMS矢量水声传感器抗流噪声性能差、灵敏度低、抗冲击性能差、质量重、声阻抗与水不匹配、以及加工制作困难的问题。基于压电效应的MEMS仿生结构矢量水声传感器包括基底、框形基座、悬臂梁、质量块、空心玻璃柱体、内侧PZT压电薄膜、以及外侧PZT压电薄膜；其中，框形基座的下端面键合于基底的上表面；悬臂梁的外端面固定于框形基座的内表面；质量块固定于悬臂梁的内端面，且质量块的上表面中央垂直开设有圆孔；空心玻璃柱体的下端键合于圆孔内；内侧PZT压电薄膜旋涂于悬臂梁的内端上表面。本发明适用于水声传感。

公开(公告)号：CN204325183U

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201420794825.0

申请日：2014-12-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 陈晓勇 ,  丑修建 ,  熊继军 ,  穆继亮 ,  安坤 ,  李惠琴 ,  杨杰 ,  许卓 ,  孙玉虹 ,  曹嘉峰

IPC: C06C5/00

Abstract: 本实用新型提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本实用新型具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。