公开(公告)号：CN111768979A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN202010423480.8

申请日：2020-05-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  王青青 ,  宋利黎 ,  李东 ,  朱世璠

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86 ,  H01M4/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片的制备方法及应用，具体包括：a.制备硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片；b.将上述制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片作为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，组成三电极体系进行电化学性能测试。该本征态有效解决了磷化镍钴结构稳定性差的难题。所制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片电极在电流密度为1安培/克时的比电容量可以达到2050法拉/克，当电流密度为5安培/克时，进行10000圈循环之后，仍能保持原始容量的85％。

公开(公告)号：CN111768979B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202010423480.8

申请日：2020-05-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  王青青 ,  宋利黎 ,  李东 ,  朱世璠

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86 ,  H01M4/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片的制备方法及应用，具体包括：a.制备硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片；b.将上述制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片作为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，组成三电极体系进行电化学性能测试。该本征态有效解决了磷化镍钴结构稳定性差的难题。所制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片电极在电流密度为1安培/克时的比电容量可以达到2050法拉/克，当电流密度为5安培/克时，进行10000圈循环之后，仍能保持原始容量的85％。

公开(公告)号：CN109686591B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201811540762.5

申请日：2018-12-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  李红颜 ,  王青青 ,  刘斯琦 ,  孙岳明

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  C01G53/11 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法，通过控制氧化剂浓度、Na2S2O3·5H2O浓度和便捷的一步溶剂热法即可实现对Ni3S2微结构的精确调控。该电极中的柱状Ni3S2阵列提供了较短的电子和离子传输途径，片状Ni3S2提供了较大的比表面积和反应活性位点，增大了与电解质的接触面积，极大的改善其电化学性能。所制备的片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极在电流密度15mA cm‑2时，面积比容量达3.36F cm‑2，在3000次循环充放电后，比容量大约保持在初始比容量的86％。

公开(公告)号：CN109686591A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811540762.5

申请日：2018-12-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  李红颜 ,  王青青 ,  刘斯琦 ,  孙岳明

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  C01G53/11 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01G11/86 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G53/11 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明提供了一种片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法，通过控制氧化剂浓度、Na2S2O3·5H2O浓度和便捷的一步溶剂热法即可实现对Ni3S2微结构的精确调控。该电极中的柱状Ni3S2阵列提供了较短的电子和离子传输途径，片状Ni3S2提供了较大的比表面积和反应活性位点，增大了与电解质的接触面积，极大的改善其电化学性能。所制备的片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极在电流密度15mA cm-2时，面积比容量达3.36F cm-2，在3000次循环充放电后，比容量大约保持在初始比容量的86％。