公开(公告)号：CN116534816A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310406426.6

申请日：2023-04-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 齐齐 ,  宋利黎 ,  蔡赛楠

IPC: C01B25/08 ,  C01B32/15 ,  C25B1/04 ,  C25B11/031 ,  C25B11/091 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种碳量子点修饰的磷化镍钴纳米片及其制备方法和应用，本发明通过溶剂热合成不同直径大小的碳量子点材料，再利用水热法制备碳量子点修饰的镍钴前驱体，最后通过热磷化法制备碳量子点修饰的磷化镍钴纳米片。该碳量子点修饰的纳米片可以有效解决磷化镍钴电催化析氧活性低以及稳定性差的难题。本发明制备的碳量子点修饰的磷化镍钴纳米片在析氧反应中，当电流密度为10毫安/平方厘米时，过电位为240～350毫伏，该条件下进行100小时的析氧反应后，其催化电流密度仍保持为初始电流密度的75～93％。

公开(公告)号：CN111768979A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN202010423480.8

申请日：2020-05-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  王青青 ,  宋利黎 ,  李东 ,  朱世璠

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86 ,  H01M4/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片的制备方法及应用，具体包括：a.制备硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片；b.将上述制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片作为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，组成三电极体系进行电化学性能测试。该本征态有效解决了磷化镍钴结构稳定性差的难题。所制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片电极在电流密度为1安培/克时的比电容量可以达到2050法拉/克，当电流密度为5安培/克时，进行10000圈循环之后，仍能保持原始容量的85％。

公开(公告)号：CN111768979B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202010423480.8

申请日：2020-05-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  王青青 ,  宋利黎 ,  李东 ,  朱世璠

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86 ,  H01M4/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片的制备方法及应用，具体包括：a.制备硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片；b.将上述制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片作为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，组成三电极体系进行电化学性能测试。该本征态有效解决了磷化镍钴结构稳定性差的难题。所制备的硫掺杂的本征多孔磷化镍钴纳米片电极在电流密度为1安培/克时的比电容量可以达到2050法拉/克，当电流密度为5安培/克时，进行10000圈循环之后，仍能保持原始容量的85％。