公开(公告)号：CN109686591B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201811540762.5

申请日：2018-12-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  李红颜 ,  王青青 ,  刘斯琦 ,  孙岳明

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  C01G53/11 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法，通过控制氧化剂浓度、Na2S2O3·5H2O浓度和便捷的一步溶剂热法即可实现对Ni3S2微结构的精确调控。该电极中的柱状Ni3S2阵列提供了较短的电子和离子传输途径，片状Ni3S2提供了较大的比表面积和反应活性位点，增大了与电解质的接触面积，极大的改善其电化学性能。所制备的片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极在电流密度15mA cm‑2时，面积比容量达3.36F cm‑2，在3000次循环充放电后，比容量大约保持在初始比容量的86％。

公开(公告)号：CN109686591A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811540762.5

申请日：2018-12-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 王育乔 ,  李红颜 ,  王青青 ,  刘斯琦 ,  孙岳明

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  C01G53/11 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01G11/86 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G53/11 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明提供了一种片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法，通过控制氧化剂浓度、Na2S2O3·5H2O浓度和便捷的一步溶剂热法即可实现对Ni3S2微结构的精确调控。该电极中的柱状Ni3S2阵列提供了较短的电子和离子传输途径，片状Ni3S2提供了较大的比表面积和反应活性位点，增大了与电解质的接触面积，极大的改善其电化学性能。所制备的片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极在电流密度15mA cm-2时，面积比容量达3.36F cm-2，在3000次循环充放电后，比容量大约保持在初始比容量的86％。