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    导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法
    2.
    发明授权
    导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN101523517B

    公开(公告)日：2013-07-10

    申请号：CN200780036318.3

    申请日：2007-09-13

    Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

    Inventor： 井原孝 ,  藤本孝弘

    IPC: H01B13/00 ,  C08J7/00 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H05K3/067 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0037 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329

    Abstract: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的导电性蚀刻液，其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液：(1)含有超过0.5重量％、70重量％以下的(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量％以上、30重量％以下的Ce(SO4)2的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％、30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液；(3)作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液；(4)包括含有5重量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量％以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量％以上的亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上、40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上、40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上、20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上、30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。

    导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法
    4.
    发明公开
    导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN101523517A

    公开(公告)日：2009-09-02

    申请号：CN200780036318.3

    申请日：2007-09-13

    Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

    Inventor： 井原孝 ,  藤本孝弘

    IPC: H01B13/00 ,  C08J7/00 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H05K3/067 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0037 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329

    Abstract: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的导电性蚀刻液，其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液：(1)含有超过0.5重量％、70重量％以下的(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量％以上、30重量％以下的Ce(SO4)2的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％、30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液；(3)作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液；(4)包括含有5重量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量％以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量％以上的亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上、40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上、40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上、20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上、30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。

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