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公开(公告)号：CN101992141A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010298479.3
申请日：2007-02-26
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C09C1/0015 , B02C17/20 , B02C18/148 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C03C12/00
Abstract: 本发明提供具有亚微米级平均粒径的粉末颗粒的制备方法。具体来说，是使用多种研磨剂对被粉碎物进行粉碎，获得粉末颗粒的粉末颗粒的制备方法，其中，所述研磨剂含有相对于被粉碎物粉碎前的平均粒径具有0.01～5倍平均粒径的至少一种(研磨剂A)和具有10～450倍平均粒径的至少一种(研磨剂B)。
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公开(公告)号：CN105765744A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480057773.1
申请日：2014-10-21
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , H01L24/97 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种荧光体组合物，其含有荧光体、基体树脂和金属化合物粒子，其特征在于，所述金属化合物粒子的折射率为1.7以上，且平均粒径为1～50nm，所述金属化合物粒子和所述基体树脂的平均折射率N1与所述荧光体的折射率N2满足以下关系，所述金属化合物粒子被接枝化。通过上述荧光体组合物等，可提供能够通过一次涂布工艺制作片材、并且能够提高应用了该荧光体组合物的LED封装体的亮度的荧光体组合物。0.20≥|N1－N2|。
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公开(公告)号：CN101622686B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200880006085.7
申请日：2008-02-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种通过含有具有最佳范围的粒径的导电性粒子而能够保持CNT与阴极电极的良好电接触的电子发射源用膏。本发明的电子发射源用膏，含有直径为1nm以上且不到10nm的碳纳米管和平均粒径为0.1～1μm的导电性粒子。
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公开(公告)号：CN105765744B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201480057773.1
申请日：2014-10-21
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及一种荧光体组合物，其含有荧光体、基体树脂和金属化合物粒子，其特征在于，所述金属化合物粒子的折射率为1.7以上，且平均粒径为1～50nm，所述金属化合物粒子和所述基体树脂的平均折射率N1与所述荧光体的折射率N2满足以下关系，所述金属化合物粒子被接枝化。通过上述荧光体组合物等，可提供能够通过一次涂布工艺制作片材、并且能够提高应用了该荧光体组合物的LED封装体的亮度的荧光体组合物。0.20≥|N1－N2|。
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公开(公告)号：CN106663487B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201580036988.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供高亮度的闪烁体面板，其通过使具有高折射率的颗粒以良好的状态分散在闪烁体层内，从而能够实现荧光体的发射光的高效利用、能够显著抑制受试者等的放射线辐射剂量。本发明提供闪烁体面板，其为具有基板和闪烁体层的闪烁体面板，所述闪烁体层含有金属化合物颗粒和荧光体，上述金属化合物覆盖上述荧光体，其覆盖率为5%以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473564B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201080035612.4
申请日：2010-08-03
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明为了提供能够省略活化处理工序并且可在低电压下发射电子，而且与阴极基板的粘结性也优异的电子发射源用膏和使用了该膏的电子发射源，使用将含有下述(A)～(C)成分的电子发射源用膏进行热处理而制造的电子发射源，所述电子发射源具有龟裂且碳纳米管从龟裂面突出，(A)碳纳米管；(B)玻璃粉末；(C)选自金属盐、金属氢氧化物、有机金属化合物、金属络合物、硅烷偶合剂和钛偶合剂中的至少1种以上的物质。
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公开(公告)号：CN101389411B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780006628.0
申请日：2007-02-26
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C09C1/0015 , B02C17/20 , B02C18/148 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C03C12/00
Abstract: 本发明提供具有亚微米级平均粒径的粉末颗粒的制备方法。具体来说，是使用多种研磨剂对被粉碎物进行粉碎，获得粉末颗粒的粉末颗粒的制备方法，其中，所述研磨剂含有相对于被粉碎物粉碎前的平均粒径具有0.01～5倍平均粒径的至少一种(研磨剂A)和具有10～450倍平均粒径的至少一种(研磨剂B)。
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公开(公告)号：CN102714119B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180006212.5
申请日：2011-01-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/0444 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明为一种电子发射源用膏料，其是含有电子发射源用碳材料、磷酸系玻璃和平均粒径为0.1μm～1.0μm的导电性颗粒的电子发射源用膏料，其中，磷酸系玻璃含有25摩尔%～70摩尔%的P2O5成分，导电性颗粒为含有导电性氧化物的颗粒、或者为氧化物表面的一部分或全部涂布有导电性氧化物的颗粒。本发明提供一种电子发射源，其中，通过所述电子发射源用膏料而能够同时良好地保持电子发射源用碳材料与阴极电极基板的强粘接性和电子发射源的导电性，并且能够在低电压下发射电子。
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公开(公告)号：CN102473564A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035612.4
申请日：2010-08-03
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明为了提供能够省略活化处理工序并且可在低电压下发射电子，而且与阴极基板的粘结性也优异的电子发射源用膏和使用了该膏的电子发射源，使用将含有下述(A)～(C)成分的电子发射源用膏进行热处理而制造的电子发射源，所述电子发射源具有龟裂且碳纳米管从龟裂面突出，(A)碳纳米管；(B)玻璃粉末；(C)选自金属盐、金属氢氧化物、有机金属化合物、金属络合物、硅烷偶合剂和钛偶合剂中的至少1种以上的物质。
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公开(公告)号：CN101622686A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006085.7
申请日：2008-02-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种通过含有具有最佳范围的粒径的导电性粒子而能够保持CNT与阴极电极的良好电接触的电子发射源用膏。本发明的电子发射源用膏，含有直径为1nm以上且不到10nm的碳纳米管和平均粒径为0.1～1μm的导电性粒子。
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