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公开(公告)号：CN102807368B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210318923.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，即在常压、氢气气氛中将Nd3+:Lu2O3素坯在1400℃-1750℃采用多步烧结后降至室温即得Nd3+:Lu2O3纳米半透明陶瓷。本发明的一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，由于采用了流动氢气氛辅助的多步烧结致密化控制技术，因此无需高压、高温、真空等复杂烧结设备，即在普通的氢气炉中即可实现半透明纳米陶瓷的制备，且制备的Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷具有尺寸大、不易开裂等优点。
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公开(公告)号：CN105586638A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610129276.9
申请日：2016-03-08
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法，将先合成的铌酸钾铅多晶料压成致密圆柱状料块，选择不同取向的高质量铌酸钾铅单晶作为籽晶，将籽晶装入坩埚底部的种井部位，然后将原料块装入坩埚，使原料块处于炉膛内高温区，炉温控制在1360~1390℃，保持固液界面温度梯度为6~10℃/cm，保温3~7小时使多晶粉料充分熔融，坩埚下降速率为0.2~0.5mm/h；待原料全部结晶后，使坩埚处于炉膛恒温区，在1000~1200℃下保温，然后以30~50℃/h速率缓慢降温至室温，取出晶体，即可得到浅黄色铌酸钾铅压电单晶。本发明实现了高质量铌酸钾铅单晶的生长，降低了单晶制备难度，极大提高了铌酸钾铅压电单晶的成品率。
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公开(公告)号：CN102925969B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210449697.1
申请日：2012-11-12
Applicant: 上海应用技术学院
Inventor： 储耀卿
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明涉及一种图形化的SiC衬底，包括在SiC单晶衬底表面有通过等离子刻蚀或者湿法腐蚀的方法形成的周期化凸起或凹陷图形，周期化凸起或凹陷图形为多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中的任一种。周期性图形是多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中任意两种或两种以上的组合。本发明公开的图形化SiC衬底可以提高以SiC为衬底的GaN的异质外延和3C-SiC同质外延的外延质量，提高以外延片制备的器件性能和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103303879A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310264501.6
申请日：2013-06-28
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明公开一种高纯二氧化碲粉体的制备方法，即首先采用了浓硝酸或含有浓硝酸的混合酸使单质Te充分氧化生成二氧化碲粉体初料，然后再用浓盐酸将其转化成四氯化碲后滤除未充分反应的单质Te，滤除未充分反应的单质Te的四氯化碲再用碱与其进行反应后过滤、烘干得到纯的二氧化碲粉料，所得的纯的二氧化碲粉料再依次清洗、烘干、煅烧除去低熔点杂质即得高纯二氧化碲粉体，其纯度达到4N级别，且其粒径均匀，为4-15μm。该制备方法具有设备要求不高，制备过程简单，操作方便，适合工业化生产的特点。
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公开(公告)号：CN102888193A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210208418.2
申请日：2012-06-25
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液，按重量百分比计算，其原料由2～30%的磨料、0.01～5%的螯合剂、0.01～10%的表面活性剂、0.01～10%的分散剂、0.1～20%的氧化剂和余量的去离子水组成。其制备方法即首先制备磨料二氧化硅溶胶，然后将所得二氧化硅溶胶在搅拌条件下依次加入螯合剂、表面活性剂、分散剂、氧化剂和去离子水，继续搅拌均匀后得到一种LED衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液。该化学机械抛光液对LED衬底表面无损伤、无划痕和无腐蚀坑、不污染环境；原材料价格便宜、成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN102817083A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210352690.8
申请日：2012-09-21
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种SiC晶片的退火方法，首先将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；保温后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；经过中温保温后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。采用该方法退火的晶片加工应力基本消除，整个晶片退火均匀，降低由于晶体加工产生的加工应力引起的晶片翘曲和弯曲。
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公开(公告)号：CN102925969A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210449697.1
申请日：2012-11-12
Applicant: 上海应用技术学院
Inventor： 储耀卿
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明涉及一种图形化的SiC衬底，包括在SiC单晶衬底表面有通过等离子刻蚀或者湿法腐蚀的方法形成的周期化凸起或凹陷图形，周期化凸起或凹陷图形为多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中的任一种。周期性图形是多边锥形、多边柱形、多棱台形、梯形多边台形、梯形圆台、半球形或球冠中任意两种或两种以上的组合。本发明公开的图形化SiC衬底可以提高以SiC为衬底的GaN的异质外延和3C-SiC同质外延的外延质量，提高以外延片制备的器件性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN102807368A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210318923.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，即在常压、氢气气氛中将Nd3+:Lu2O3素坯在1400℃-1750℃采用多步烧结后降至室温即得Nd3+:Lu2O3纳米半透明陶瓷。本发明的一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，由于采用了流动氢气氛辅助的多步烧结致密化控制技术，因此无需高压、高温、真空等复杂烧结设备，即在普通的氢气炉中即可实现半透明纳米陶瓷的制备，且制备的Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷具有尺寸大、不易开裂等优点。
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