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公开(公告)号：CN1329358A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01102886.6
申请日：2001-02-21
Applicant: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76808
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法以及其使用的填埋材料和半导体器件,具有可以均匀地进行填埋而与通孔图形的疏密度无关的良好填埋特性,并且使用腐蚀速度大的有机高分子材料。通过将有机高分子材料多次涂敷在通孔图形上,可以均匀地填埋而与该通孔图形疏密度无关。而且,形成通孔图形填埋用并且除去色素成分来形成提高腐蚀速度的有机高分子材料膜,在该层上涂敷有机防反射膜,可以用多级处理来形成均匀的膜。
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