光电动势装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102017187A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200880128931.2

    申请日:2008-04-30

    Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法,无需大量追加制造工序,而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括:在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序;在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103),在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处,形成微细孔(104)的工序;以微细孔(104)的形成位置为中心,以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式,对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序;在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序;以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。

    端子箱
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1762058A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN200480007592.4

    申请日:2004-03-12

    CPC classification number: H01R9/2425 H02S40/34 Y10S248/906

    Abstract: 一种端子箱(300),备有用热塑性树脂形成的框体(1)及外盖(2),该框体(1)上有顶出型的闭塞电缆孔(7),构成太阳电池模块(100)的输出部(200),其中,备有被收存在上述框体(1)内的覆盖并闭塞电路部(400)的内盖(2)。

    光电动势装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102017187B

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN200880128931.2

    申请日:2008-04-30

    Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法,无需大量追加制造工序,而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括:在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序;在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103),在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处,形成微细孔(104)的工序;以微细孔(104)的形成位置为中心,以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式,对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序;在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序;以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。

    端子箱
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100459175C

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200480007592.4

    申请日:2004-03-12

    CPC classification number: H01R9/2425 H02S40/34 Y10S248/906

    Abstract: 一种端子箱(300),备有用热塑性树脂形成的框体(1)及外盖(2),该框体(1)上有顶出型的闭塞电缆孔(7),构成太阳电池模块(100)的输出部(200),其中,备有被收存在上述框体(1)内的覆盖并闭塞电路部(400)的内盖(2)。

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