公开(公告)号：CN103295885A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210522238.1

申请日：2012-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 近森大亮 ,  西尾康彦 ,  油谷直毅

IPC: H01L21/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/18

CPC classification number: H01L29/872 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/34 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能抑制在溅射金属材料且在碳化硅基体上对金属膜进行成膜时在碳化硅与金属之间的界面产生的损伤，并能稳定制造具有一定的电气特性的碳化硅半导体装置。溅射由金属材料构成的靶材（23），在碳化硅基体（10）上对金属膜进行成膜。此时，从靶材（23）溅射的金属材料及从气体导入口（27）流入的溅射用气体的对碳化硅基体（10）的入射能在变为比碳化硅的结合能小的条件下，具体而言，在变为比4.8eV小的条件下，对金属膜进行成膜。例如，将施加于阴极（21）与阳极（22）之间的高频电压设为20V以上300V以下，对金属膜进行成膜。

公开(公告)号：CN103295885B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210522238.1

申请日：2012-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 近森大亮 ,  西尾康彦 ,  油谷直毅

IPC: H01L21/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/18

CPC classification number: H01L29/872 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/34 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能抑制在溅射金属材料且在碳化硅基体上对金属膜进行成膜时在碳化硅与金属之间的界面产生的损伤，并能稳定制造具有一定的电气特性的碳化硅半导体装置。溅射由金属材料构成的靶材（23），在碳化硅基体（10）上对金属膜进行成膜。此时，从靶材（23）溅射的金属材料及从气体导入口（27）流入的溅射用气体的对碳化硅基体（10）的入射能在变为比碳化硅的结合能小的条件下，具体而言，在变为比4.8eV小的条件下，对金属膜进行成膜。例如，将施加于阴极（21）与阳极（22）之间的高频电压设为20V以上300V以下，对金属膜进行成膜。