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公开(公告)号:CN101667537A
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200910141813.1
申请日:2009-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/04 , H01L21/33 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/405 , H01L21/76834 , H01L21/76888 , H01L24/05 , H01L29/0619 , H01L29/7395 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置的制造方法,该方法能够无弊病地形成用于实现半导体装置的高耐压化、耐压稳定化、电极的电位稳定化、耐压保持区域的缩短等的半绝缘性膜。该方法的特征在于包括以下工序:在半导体衬底表面形成P型区域的工序;在该P型区域上形成Al电极的工序;形成与该Al电极相接并由与Al相比不易与Si反应的物质构成的层间膜的工序;以及在该层间膜上形成含有Si的半绝缘性膜的工序。
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公开(公告)号:CN111863760A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010304764.5
申请日:2020-04-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供针对基板插入式引线类型的半导体装置,能够在向基板安装时形成稳定的焊料焊脚的技术。半导体装置(100)是通过将多个引线端子(2)各自插入至基板(4)的多个通孔(5)而进行安装的基板插入式引线类型的半导体装置。半导体装置(100)具有:通电控制部,其包含半导体元件及配线;封装树脂(1),其覆盖通电控制部;以及多个引线端子(2),它们的一端侧与通电控制部连接,并且,另一端侧从封装树脂(1)凸出,各引线端子(2)具有在从封装树脂(1)凸出的另一端侧的一部分形成的凸起部(3)。
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公开(公告)号:CN101667537B
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN200910141813.1
申请日:2009-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/04 , H01L21/33 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/405 , H01L21/76834 , H01L21/76888 , H01L24/05 , H01L29/0619 , H01L29/7395 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置的制造方法,该方法能够无弊病地形成用于实现半导体装置的高耐压化、耐压稳定化、电极的电位稳定化、耐压保持区域的缩短等的半绝缘性膜。该方法的特征在于包括以下工序:在半导体衬底表面形成P型区域的工序;在该P型区域上形成Al电极的工序;形成与该Al电极相接并由与Al相比不易与Si反应的物质构成的层间膜的工序;以及在该层间膜上形成含有Si的半绝缘性膜的工序。
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