公开(公告)号：CN113474870B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN201980092814.3

申请日：2019-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木本信义 ,  山本忠嗣

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本申请的发明涉及的半导体装置具有：半导体基板；第一电极，其设置于半导体基板之上；绝缘层，其具有在第一电极的上表面设置的第一部分；第二电极，其具有在第一电极的上表面设置的主要部分和与主要部分相连且攀上至第一部分之上的檐部；以及焊料，其将第二电极中的主要部分的上表面和与主要部分的上表面相连的檐部的上表面的一部分覆盖，绝缘层具有将檐部的上表面中的与被焊料覆盖的部分相比更靠檐部的端部侧的部分覆盖的第二部分和将第一部分与第二部分连接且将檐部的端部覆盖的第三部分。

公开(公告)号：CN113474870A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201980092814.3

申请日：2019-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木本信义 ,  山本忠嗣

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本申请的发明涉及的半导体装置具有：半导体基板；第一电极，其设置于半导体基板之上；绝缘层，其具有在第一电极的上表面设置的第一部分；第二电极，其具有在第一电极的上表面设置的主要部分和与主要部分相连且攀上至第一部分之上的檐部；以及焊料，其将第二电极中的主要部分的上表面和与主要部分的上表面相连的檐部的上表面的一部分覆盖，绝缘层具有将檐部的上表面中的与被焊料覆盖的部分相比更靠檐部的端部侧的部分覆盖的第二部分和将第一部分与第二部分连接且将檐部的端部覆盖的第三部分。

公开(公告)号：CN116157916A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202080104815.8

申请日：2020-07-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本忠嗣 ,  村井亮司

IPC: H01L23/36

Abstract: 将半导体装置的高度抑制得低，有效地进行半导体装置的散热。半导体装置具有对半导体模块进行冷却的冷却器，半导体模块具有金属块、半导体元件、与半导体元件连接的端子、以及将端子的一部分、金属块、半导体元件覆盖的树脂，冷却器具有：金属基座，其与半导体模块的下表面接触，在俯视观察时包含半导体模块；以及冷却配管，其配置于金属基座的上表面，对半导体模块进行冷却，冷却配管在俯视观察时将半导体模块的至少一部分包围。