公开(公告)号：CN102683565A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210162517.1

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN101606246B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN102687296A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005149.3

申请日：2011-06-24

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 作田宽明 ,  香川和彦 ,  佐藤义人 ,  平冈晋

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7739 ,  C09K11/7768 ,  C09K11/7774 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供与特殊显色指数R9之间具有相关性且能够控制的参数，同时还提供通过对该参数进行优化而得到的具有高R9值的白色半导体发光装置。本发明的白色半导体发光装置具有荧光体作为发光材料，并具有半导体发光元件作为该荧光体的激发源，所述荧光体至少含有绿色荧光体及宽谱带红色荧光体。该白色半导体发光装置的用光通量进行了标准化的发光光谱在波长640nm处的强度为用光通量进行了标准化的显色性评价用基准光的光谱在波长640nm处的强度的100~110％。

公开(公告)号：CN102405538A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080015640.X

申请日：2010-08-24

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 作田宽明 ,  香川和彦 ,  佐藤义人 ,  冈川广明 ,  平冈晋

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/08 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明的目的在于提供一种改善了涉及鲜艳的红色的再现性的白色半导体发光装置。本发明涉及的白色半导体发光装置的输出光包含蓝色光成分、绿色光成分及红色光成分，所述蓝色光成分的发生源是半导体发光元件和/或吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出含有所述蓝色光成分的光的第1荧光体；所述绿色光成分的发生源是吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出含有所述绿色光成分的光的第2荧光体；所述红色光成分的发生源是吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出含有所述红色光成分的光的第3荧光体，在所述输出光的光谱中，在615～645nm的范围具有最大波长，用光通量标准化的该输出光的光谱中在波长580nm处的强度为用光通量标准化的演色性评价用基准光的光谱中在波长580nm处的强度的80～100％。

公开(公告)号：CN101606246A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN301716074S

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN201130062138.1

申请日：2011-03-29

Applicant: 三菱化学株式会社

Designer： 平冈晋

Abstract: 1.外观设计产品的名称：半导体发光元件用基板材。2.外观设计产品的用途：本产品为一种半导体发光元件用基板材，通过将适宜宽度和厚度的本产品进行剪切，可以得到半导体发光元件。3.外观设计的设计要点：本外观设计的设计要点在于俯视图所示的形状和图案。4.指定的图片或照片：俯视图。5.其它：俯视图的形状和图案四方连续；本产品由透明或透光性材质构成。