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公开(公告)号：CN101667624A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910165165.3
申请日：2003-07-31
申请人： 三菱化学株式会社
CPC分类号： H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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公开(公告)号：CN1672264A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03817832.X
申请日：2003-07-31
申请人： 三菱化学株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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公开(公告)号：CN101667624B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910165165.3
申请日：2003-07-31
申请人： 三菱化学株式会社
CPC分类号： H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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公开(公告)号：CN100594617C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN03817832.X
申请日：2003-07-31
申请人： 三菱化学株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： 优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(%)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(%)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。
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