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公开(公告)号：CN101032031A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580033078.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管具有有机半导体部分，并且通过提高所述有机半导体部分的驱动稳定性来减小因驱动导致的特性变化。所述场效应晶体管含有栅绝缘部分、有机半导体部分、以及源极和漏极，该场效应晶体管的特征在于，当在70℃下向栅施加使所述栅绝缘部分中的电场强度达到100±5MV/m的电压5.0±0.1小时时，阈值电压的变化在5V以内。
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公开(公告)号：CN101420004A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810168770.1
申请日：2003-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7737 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及光发射器件及使用其的照明器。公开了具有高发光强度的光发射器件，和具有高发光强度和良好色彩保留性能的光发射器件。本发明光发射器件包含：发光为350－415nm的第一光发射体和通过暴露于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体，其中所述第二光发射体包含能够满足以下(i)－(iv)的任一条件荧光体：(i)该荧光体包含：(a)结晶相，其中在350－415nm的任一激发波长提供最大发光强度的Eu浓度大于在激发波长254nm提供最大发光强度的Eu浓度；和(b)被Eu活化的结晶相，该Eu具有至少1.1倍在激发波长254nm下提供最大发光强度的浓度，和0.5到9倍在激发频率为400nm下提供最大发光强度的浓度；(ii)该荧光体包含结晶相，由结晶基体中Eu浓度计算，该结晶相具有的Eu－Eu平均距离为4或更大但不大于11；(iii)该荧光体具有的量子吸收效率αq为0.8或更大；(iv)该荧光体具有的量子吸收效率αq与内量子效率ηi的乘积αq·ηi为0.55或更大。
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公开(公告)号：CN101420004B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810168770.1
申请日：2003-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7737 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及光发射器件及使用其的照明器。公开了具有高发光强度的光发射器件，和具有高发光强度和良好色彩保留性能的光发射器件。本发明光发射器件包含：发光为350-415nm的第一光发射体和通过暴露于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体，其中所述第二光发射体包含能够满足以下(i)-(iv)的任一条件荧光体：(i)该荧光体包含：(a)结晶相，其中在350-415nm的任一激发波长提供最大发光强度的Eu浓度大于在激发波长254nm提供最大发光强度的Eu浓度；和(b)被Eu活化的结晶相，该Eu具有至少1.1倍在激发波长254nm下提供最大发光强度的浓度，和0.5到9倍在激发频率为400nm下提供最大发光强度的浓度；(ii)该荧光体包含结晶相，由结晶基体中Eu浓度计算，该结晶相具有的Eu-Eu平均距离为或更大但不大于(iii)该荧光体具有的量子吸收效率αq为0.8或更大；(iv)该荧光体具有的量子吸收效率αq与内量子效率ηi的乘积αq·ηi为0.55或更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468789C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN03808323.X
申请日：2003-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7737 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了具有高发光强度的光发射器件，和具有高发光强度和良好色彩保留性能的光发射器件。本发明光发射器件包含：发光为350-415nm的第一光发射体和通过暴露于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体，其中所述第二光发射体包含能够满足以下(i)-(iv)的任一条件荧光体：(i)该荧光体包含：(a)结晶相，其中在350-415nm的任一激发波长提供最大发光强度的Eu浓度大于在激发波长254nm提供最大发光强度的Eu浓度；和(b)被Eu活化的结晶相，该Eu具有至少1.1倍在激发波长254nm下提供最大发光强度的浓度，和0.5到9倍在激发频率为400nm下提供最大发光强度的浓度；(ii)该荧光体包含结晶相，由结晶基体中Eu浓度计算，该结晶相具有的Eu-Eu平均距离为4或更大但不大于11；(iii)该荧光体具有的量子吸收效率αq为0.8或更大；(iv)该荧光体具有的量子吸收效率αq与内量子效率ηi的乘积αq·ηi为0.55或更大。
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公开(公告)号：CN102379042B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080014681.7
申请日：2010-04-07
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/41725 , H01L29/78 , H01L51/0012 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 提供具有高迁移率且迁移率的离差小的场效应晶体管。以源极和/或漏极在平行于沟道长度方向且垂直于衬底的截面中具有楔形部的方式，形成源极和/或漏极，通过涂布法形成半导体层，由此制造至少具有衬底、半导体层、源极和漏极的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN101420005A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810168771.6
申请日：2003-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明涉及光发射器件及使用其的照明器。公开了具有高发光强度的光发射器件，和具有高发光强度和良好色彩保留性能的光发射器件。本发明光发射器件包含：发光为350－415nm的第一光发射体和通过暴露于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体，其中所述第二光发射体包含能够满足以下(i)－(iv)的任一条件荧光体：(i)该荧光体包含：(a)结晶相，其中在350－415nm的任一激发波长提供最大发光强度的Eu浓度大于在激发波长254nm提供最大发光强度的Eu浓度；和(b)被Eu活化的结晶相，该Eu具有至少1.1倍在激发波长254nm下提供最大发光强度的浓度，和0.5到9倍在激发频率为400nm下提供最大发光强度的浓度；(ii)该荧光体包含结晶相，由结晶基体中Eu浓度计算，该结晶相具有的Eu－Eu平均距离为4或更大但不大于11；(iii)该荧光体具有的量子吸收效率αq为0.8或更大；(iv)该荧光体具有的量子吸收效率αq与内量子效率ηi的乘积αq·ηi为0.55或更大。
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公开(公告)号：CN102379042A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014681.7
申请日：2010-04-07
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/41725 , H01L29/78 , H01L51/0012 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 提供具有高迁移率且迁移率的离差小的场效应晶体管。以源极和/或漏极在平行于沟道长度方向且垂直于衬底的截面中具有楔形部的方式，形成源极和/或漏极，通过涂布法形成半导体层，由此制造至少具有衬底、半导体层、源极和漏极的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN1647286A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808323.X
申请日：2003-02-13
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7737 , C09K11/7738 , C09K11/7739 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了具有高发光强度的光发射器件，和具有高发光强度和良好色彩保留性能的光发射器件。本发明光发射器件包含：发光为350－415nm的第一光发射体和通过暴露于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体，其中所述第二光发射体包含能够满足以下(i)－(iv)的任一条件磷光体：(i)该磷光体包含：(a)结晶相，其中在350－415nm的任一激发波长提供最大发光强度的Eu浓度大于在激发波长254nm提供最大发光强度的Eu浓度；和(b)被Eu活化的结晶相，该Eu具有至少1.1倍在激发波长254nm下提供最大发光强度的浓度，和0.5到9倍在激发频率为400nm下提供最大发光强度的浓度；(ii)该磷光体包含结晶相，由晶体点阵中Eu浓度计算，该结晶相具有的Eu－Eu平均距离为4或更大但不大于11；(iii)该磷光体具有的量子吸收效率αq为0.8或更大；(iv)该磷光体具有的量子吸收效率αq与内量子效率ηi的乘积αq·ηi为0.55或更大。
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