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公开(公告)号：CN85106463B
公开(公告)日：1987-07-15
申请号：CN85106463
申请日：1985-08-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有很多光电转换区的半导体器件的制造方法，该方法包括下列各步骤：准备好一个基片，在上述基片的一侧主表面上连续地形成一层半导体薄膜，再用能量束，例如用激光束，从上述基片的另一侧主表面进行照射，并去除该部位的半导体薄膜，从而把上述半导体薄膜分隔成各个区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1109775C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN97118531.X
申请日：1997-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B26B19/3846 , B26B19/38 , C23C16/26 , C23C16/511 , C23C30/00
Abstract: 本发明公开一种做在基底上的硬碳膜，其可见光吸收系数不大1×105cm-1，其色调是由硬碳膜的厚度控制的。
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公开(公告)号：CN1182806A
公开(公告)日：1998-05-27
申请号：CN97118531.X
申请日：1997-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B26B19/3846 , B26B19/38 , C23C16/26 , C23C16/511 , C23C30/00
Abstract: 本发明公开一种做在基底上的硬碳膜,其可见光吸收系数不大1×105cm－1,其色调是由硬碳膜的厚度控制的。
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公开(公告)号：CN1182807A
公开(公告)日：1998-05-27
申请号：CN97118532.8
申请日：1997-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B26B19/3846 , B26B19/38 , B26B19/3853 , B26B21/60 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C28/321 , C23C28/343 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 揭示了一种涂敷硬碳膜的基底,其中在基底和硬碳膜之间有一中间层,该中间层主要包括从Al、Cr、Sn、Co和B以及它们的氧化物、氮化物和碳化物构成的组中选出的至少一种材料。
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公开(公告)号：CN1036298A
公开(公告)日：1989-10-11
申请号：CN89100835.7
申请日：1989-02-18
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种光生伏打装置，提供覆有绝缘层的金属绝缘基片。相邻光电转换元件之一的第一背电极与另一个的第二背电极相连实现电串联，不影响光电转换的有效面积，使制造者自由地选择组成半导体层的材料。通过接触孔实现透明电极与第二背电极的电接触，在透明电极与第一背电极间提供足够的绝缘距离，防止意外短路发生。本发明还提供了透明电极和第二背电极的电接触部分的最佳大小和间隔，或透明电极层的最佳厚度。
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公开(公告)号：CN85106463A
公开(公告)日：1987-03-25
申请号：CN85106463
申请日：1985-08-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有很多光电转换区的半导体器件的制造方法，该方法包括下列各步骤：准备好一个基片，在上述基片的一侧主表面上连续地形成一层半导体薄膜，再用能量束例如用激光束，从上述基片的另一侧主表面进行照射，并去除该部位的半导体薄膜，从而把上述半导体薄膜分隔成各个区域。
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