公开(公告)号：CN85106463A

公开(公告)日：1987-03-25

申请号：CN85106463

申请日：1985-08-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 木山精一 ,  今井秀记

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有很多光电转换区的半导体器件的制造方法，该方法包括下列各步骤：准备好一个基片，在上述基片的一侧主表面上连续地形成一层半导体薄膜，再用能量束例如用激光束，从上述基片的另一侧主表面进行照射，并去除该部位的半导体薄膜，从而把上述半导体薄膜分隔成各个区域。

公开(公告)号：CN85106463B

公开(公告)日：1987-07-15

申请号：CN85106463

申请日：1985-08-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 木山精一 ,  今井秀记

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有很多光电转换区的半导体器件的制造方法，该方法包括下列各步骤：准备好一个基片，在上述基片的一侧主表面上连续地形成一层半导体薄膜，再用能量束，例如用激光束，从上述基片的另一侧主表面进行照射，并去除该部位的半导体薄膜，从而把上述半导体薄膜分隔成各个区域。