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公开(公告)号：CN112751080A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011153536.9
申请日：2020-10-26
Applicant: 三星SDI株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
Inventor： 郑明焕 , 姜伶慧 , 姜韩蘖 , 金东泳 , 金秀珍 , 金爱兰 , 金勋 , 柳洙烈 , 朴文祯 , 申政珉 , 李晙榕 , 李太珍 , 林珍赫 , 赵原奭 , 崔兹奉 , 韩贞敏
IPC: H01M10/0567 , H01M10/052 , C07F9/38
Abstract: 用于可再充电锂电池的电解质和包括该电解质的可再充电锂电池，该电解质包括非水性有机溶剂；锂盐；和添加剂，其中添加剂包括由化学式1表示的化合物：[化学式1]在化学式1中，R1为氰基、取代的或未取代的C2至C10烯基或取代的或未取代的C2至C10炔基。
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公开(公告)号：CN106929005B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610811776.0
申请日：2016-09-08
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C07D409/04 , C09K11/06 , H01L51/46 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及用于有机光电子器件的组合物、包含其的有机光电子器件及显示设备。一种用于有机光电子器件的组合物，包含由化学式1表示的至少一种第一化合物、由化学式2表示的化合物以及由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合组成的化合物中的至少一种第二化合物、和由化学式5表示的至少一种第三化合物。化学式1至5与具体实施方式中所描述的相同。
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公开(公告)号：CN106232768B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201580020568.2
申请日：2015-04-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种有机光电元件及显示元件，有机光电元件包含：彼此面对的阳极及阴极；所述阳极与所述阴极之间的发射层；所述阳极与所述发射层之间的空穴传输层；以及所述空穴传输层与所述发射层之间的空穴传输辅助层，其中所述空穴传输辅助层包含由化学式1表示的第一化合物及由化学式2或化学式3与化学式4的组合表示的第二化合物。本发明的有机光电元件可实现具有高效率及长使用寿命。化学式1至化学式4的解释与说明书中所描述相同。
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公开(公告)号：CN106029831B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201580009908.1
申请日：2015-02-05
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及有机光电装置和包括该有机光电装置的显示设备，该有机光电装置包括：阳极；面对阳极的阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；以及位于空穴传输层和发光层之间的空穴传输辅助层，其中，发光层包含至少一种由化学式1表示的第一化合物和至少一种由化学式2表示的第二化合物，以及空穴传输辅助层包含由化学式3表示的部分、化学式4表示的部分和化学式5表示的部分的组合表示的第三化合物。化学式1至5与说明书中所描述的相同。
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公开(公告)号：CN106929005A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610811776.0
申请日：2016-09-08
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及用于有机光电子器件的组合物、包含其的有机光电子器件及显示设备。一种用于有机光电子器件的组合物，包含由化学式1表示的至少一种第一化合物、由化学式2表示的化合物以及由化学式3表示的部分和化学式4表示的部分的组合组成的化合物中的至少一种第二化合物、和由化学式5表示的至少一种第三化合物。化学式1至5与具体实施方式中所描述的相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100379025C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410092219.5
申请日：2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L29/78675
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，不仅改善了电学特性，如电子迁移率，而且还改善了整个衬底的电学特性的均匀性。薄膜晶体管包括具有MILC区的半导体层，该MILC区具有通过MILC法结晶的第一晶粒和设置在第一晶粒之间的第二晶粒，所述第二晶粒具有不同于所述第一晶粒的晶体特性，并通过固相结晶法形成。薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上沉积非晶硅并对沉积的非晶硅构图以形成半导体层；在所述半导体层的多个区域上沉积诱导结晶金属层；对衬底上沉积所述诱导结晶金属层的地方进行第一热处理，在所述半导体层中形成金属诱导横向结晶区；和在衬底上形成所述金属诱导横向结晶区的地方以高于所述第一热处理的温度进行第二热处理。
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公开(公告)号：CN100356584C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410034670.1
申请日：2004-04-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金勋
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/42384 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管防止了由于台阶造成的短路，且本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一形成于玻璃衬底上的缓冲层；一形成于所述缓冲层上的有源层；以及一形成于包括所述有源层在内的缓冲层上的栅极绝缘层，其中所述缓冲层具有一台阶，该台阶形成于所述有源层的下部与除所述有源层的该下部之外的部分之间。
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公开(公告)号：CN107075359B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201480082700.8
申请日：2014-12-18
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种有机光电装置以及包括该有机光电装置的显示装置，该有机光电装置包括：彼此相对的阳极和阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；位于空穴传输层和发光层之间的空穴传输辅助层；位于阴极和发光层之间的电子传输层；以及位于电子传输层和发光层之间的电子传输辅助层，其中电子传输辅助层包含由以下化学式1表示的至少一种类型的第一化合物以及由以下化学式2表示的至少一种类型的第二化合物，并且空穴传输辅助层包含由以下化学式3表示的至少一种类型的第三化合物。化学式1‑3与说明书中定义的那些相同。
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公开(公告)号：CN107155330B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201580056578.1
申请日：2015-06-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种有机光电装置和包括其的显示装置，该有机光电装置包括：彼此面对的阳极和阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；位于空穴传输层和发光层之间的辅助空穴传输层；位于阴极和发光层之间的电子传输层；和位于电子传输层和发光层之间的辅助电子传输层，其中辅助电子传输层包含至少一种由以下化学式1表示的第一化合物，且辅助空穴传输层包含至少一种由以下化学式2表示的部分、以下化学式3表示的部分和以下化学式4表示的部分的组合表示的第二化合物。化学式1‑4与说明书中描述的那些相同。
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公开(公告)号：CN106232768A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020568.2
申请日：2015-04-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种有机光电元件以及显示元件，有机光电元件包含：彼此面对的阳极及阴极；所述阳极与所述阴极之间的发射层；所述阳极与所述发射层之间的空穴传输层；以及所述空穴传输层与所述发射层之间的空穴传输辅助层，其中所述空穴传输辅助层包含由化学式1表示的第一化合物及由化学式2或化学式3表示的第二化合物。化学式1至化学式3的解释与说明书中所描述相同。
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