公开(公告)号：CN100405614C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410103882.0

申请日：2004-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  崔炳德 ,  苏明燮 ,  金元植

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/78615

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：形成于绝缘衬底上的有源层并具有沟道区和源/漏区；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。

公开(公告)号：CN1542986A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410042055.5

申请日：2004-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  裵晟植 ,  金元植

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/78639 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括一有源层，其形成于一绝缘衬底上，且其中形成有沟道区、源极区和漏极区，其中一电压被施加到该沟道区上以释放在该沟道区中产生的热载流子。

公开(公告)号：CN1581514A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410057553.7

申请日：2004-08-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  金元植 ,  苏明燮

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/78666 ,  H01L27/12 ,  H01L29/783 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及栅体短路的薄膜晶体管、其制造方法及相关显示器。该薄膜晶体管包括栅极金属层、掺杂有第一极性掺杂剂的本体层、掺杂有第二极性掺杂剂的源极层和漏极层、形成于源极层和漏极层之间的半导体层、以及连接该栅极金属层与该本体层的接触部。

公开(公告)号：CN1638147A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103882.0

申请日：2004-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  崔炳德 ,  苏明燮 ,  金元植

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/78615

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：形成于绝缘衬底上的有源层并具有沟道区和源/漏区；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。