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公开(公告)号：CN100367325C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510081009.0
申请日：2005-06-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 李根洙
CPC classification number: H01L27/124 , G09G3/3233 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , H01L27/3244
Abstract: 本发明涉及发光显示器。一种发光显示器包括：至少一个第一金属层；与第一金属层交叉并具有第一宽度的第二金属层；与第一金属层和第二金属层彼此交叉所在的区域处邻近而形成的发光器件；以及包括至少一个使得发光器件发光的晶体管的像素电路。该晶体管包括具有宽于第一宽度的第二宽度的半导体层。使用这种结构，在本发明的发光显示器中，在源极/漏极金属层与栅极金属层彼此交叠所在的区域中形成的晶体管的半导体层，并且其具有的宽度大于源极/漏极金属层的宽度，使得源极/漏极金属层设置在该半导体层的宽度内。
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公开(公告)号：CN101140945A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149122.7
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/5218 , H01L51/5246
Abstract: 本发明公开了一种能够用无机密封材料气密性地密封沉积基底和包封基底之间的空间的有机发光显示装置。该有机发光显示装置的一个实施例包括：第一基底，包括形成在有机发光二极管阵列上以及形成在该阵列的外围的电源线，电源线通过电源压焊块线连接到压焊块单元，以向有机发光二极管中的每个提供电源；第二基底，至少布置在第一基底的阵列上；无机密封材料，用于在形成闭合边界的同时密封第一基底和第二基底之间的内部空间，其中，无机密封材料与形成电源线的区域不重叠。
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公开(公告)号：CN1971902A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610168953.4
申请日：2006-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L27/3258 , H01L51/5246
Abstract: 一种平板显示设备，包括衬底、设置在该衬底上的显示单元、设置在该衬底上显示单元外侧的第一互连线，位于第一互连线上方的第二互连线，和置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层。
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公开(公告)号：CN1716636A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081330.9
申请日：2005-06-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及制备该薄膜晶体管的方法，在该薄膜晶体管中半导体层和栅极绝缘膜通过在多晶硅层图案和第一绝缘膜图案上沉积第二绝缘膜而形成，它们是通过对由连续形成的第一绝缘层所覆盖的非晶硅层首先结晶然后构图形成，或是通过对由连续形成并作为栅极绝缘层一部分的第一绝缘层所覆盖的预先形成的非晶硅层首先构图然后结晶形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100448031C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510106847.9
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 李根洙
IPC: H01L29/786 , H01L27/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/78678
Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管(TFT)、具有其的平板显示器及其制备方法。TFT包括设置在衬底上的栅电极和设置在栅电极上的栅绝缘层，半导体层设置在栅绝缘层上来从该栅绝缘层上跨过，该半导体层通过金属诱导横向结晶(MILC)技术结晶。内绝缘层设置在半导体层上，并且包括源极和漏极接触孔。源极和漏极接触孔暴露半导体层的一部分，并且从跨过栅电极上的半导体层的至少一条边缘分隔开。源电极和漏电极分别设置在源极和漏极接触孔中半导体层暴露的部分上。半导体层包括对应于暴露在源极和漏极接触孔中的半导体的部分的导电金属诱导结晶(MIC)区域。
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公开(公告)号：CN1790731A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510124627.9
申请日：2005-11-14
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 李根洙
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/0248 , H01L27/1255
Abstract: 本发明公开了一种平板显示装置及其制造方法。所述装置包括在基板上从彼此分开的至少一条数据线、电源线、和横跨数据线和电源线的扫描线。第一和第二薄膜晶体管每个形成于基板上且包括半导体层、栅极绝缘膜、栅电极、源电极和漏电极。至少一个电容器具有第一电极和第二电极，且第一电极连接到第一或第二薄膜晶体管的源电极或漏电极。有机层包括至少一耦接到第二薄膜晶体管的发光层。静电放电防止单元安装在多条扫描线的端部。
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公开(公告)号：CN1761074A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510106847.9
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 李根洙
IPC: H01L29/786 , H01L27/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/78678
Abstract: 本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管(TFT)、具有其的平板显示器及其制备方法。TFT包括设置在衬底上的栅电极和设置在栅电极上的栅绝缘层。半导体层设置在栅绝缘层上来从该栅绝缘层上跨过，该半导体层通过金属诱导横向结晶(MILC)技术结晶。内绝缘层设置在半导体层上，并且包括源极和漏极接触孔。源极和漏极接触孔暴露半导体层的一部分，并且从跨过栅电极上的半导体层的至少一条边缘分隔开。源电极和漏电极分别设置在源极和漏极接触孔中半导体层暴露的部分上。半导体层包括对应于暴露在源极和漏极接触孔中的半导体的部分的导电金属诱导结晶(MIC)区域。
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公开(公告)号：CN1725273A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510081009.0
申请日：2005-06-27
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 李根洙
CPC classification number: H01L27/124 , G09G3/3233 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , H01L27/3244
Abstract: 本发明涉及发光显示器。一种发光显示器包括：至少一个第一金属层；与第一金属层交叉并具有第一宽度的第二金属层；与第一金属层和第二金属层彼此交叉所在的区域处邻近而形成的发光器件；以及包括至少一个使得发光器件发光的晶体管的像素电路。该晶体管包括具有宽于第一宽度的第二宽度的半导体层。使用这种结构，在本发明的发光显示器中，在源极/漏极金属层与栅极金属层彼此交叠所在的区域中形成的晶体管的半导体层，并且其具有的宽度大于源极/漏极金属层的宽度，使得源极/漏极金属层设置在该半导体层的宽度内。
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公开(公告)号：CN1734788A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200410103377.6
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2022 , H01L21/2026 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：绝缘衬底；和在衬底上形成的半导体层、栅绝缘层、栅电极、层间绝缘体以及源/漏电极，其中栅绝缘层由具有1到20埃厚度的过滤氧化物层形成。
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