公开(公告)号：CN1913075B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200610125792.0

申请日：2006-07-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔荣喆 ,  金载明 ,  金昌昱 ,  李恩美 ,  南仲佑 ,  赵晟希 ,  朴钟换 ,  任志淳

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。该金属是选自Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、V、Cr、Mo和W的组中的至少一种。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。

公开(公告)号：CN1913075A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610125792.0

申请日：2006-07-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔荣喆 ,  金载明 ,  金昌昱 ,  李恩美 ,  南仲佑 ,  赵晟希 ,  朴钟换 ,  任志淳

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。