-
公开(公告)号:CN112409824B
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202010771243.0
申请日:2020-08-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L21/316
Abstract: 提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件,组成物包含含硅聚合物和溶剂,其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器,在40℃下使其静置28天,且获得由组成物产生的1毫升的气体时,1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气,且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1:[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。
-
公开(公告)号:CN112409824A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202010771243.0
申请日:2020-08-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L21/316
Abstract: 提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件,组成物包含含硅聚合物和溶剂,其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器,在40℃下使其静置28天,且获得由组成物产生的1毫升的气体时,1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气,且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1:[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。
-