公开(公告)号：CN107437543B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201710383517.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/775 ,  H01L29/04 ,  H01L21/8252

Abstract: 本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。

公开(公告)号：CN107437543A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710383517.7

申请日：2017-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/775 ,  H01L29/04 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/30612 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/207 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/04 ,  H01L29/775

Abstract: 本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。

公开(公告)号：CN107689375B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201710646677.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板；第一鳍有源区和第二鳍有源区，形成在基板上并在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；第一栅结构，设置在第一鳍有源区的侧表面上；一对第一杂质区，分别形成在第一鳍有源区的顶部分和底部分上；第二栅结构，设置在第二鳍有源区的侧表面上；以及一对第二杂质区，分别形成在第二鳍有源区的顶部分和/或底部分上，其中所述一对第一杂质区竖直地彼此交叠，并且所述一对第二杂质区不竖直地彼此交叠。

公开(公告)号：CN107689375A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710646677.6

申请日：2017-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆 ,  M.T.卢克

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板；第一鳍有源区和第二鳍有源区，形成在基板上并在平行于基板的顶表面的第一方向上延伸；第一栅结构，设置在第一鳍有源区的侧表面上；一对第一杂质区，分别形成在第一鳍有源区的顶部分和底部分上；第二栅结构，设置在第二鳍有源区的侧表面上；以及一对第二杂质区，分别形成在第二鳍有源区的顶部分和/或底部分上，其中所述一对第一杂质区竖直地彼此交叠，并且所述一对第二杂质区不竖直地彼此交叠。