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发明公开
三维场效应晶体管和制造三维场效应晶体管的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119545889A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411126486.3

申请日：2024-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M·萨雷米 , 何铭 , A·库马尔 , M·阿霍桑乌尔卡里姆 , R·帕克 , H·希姆卡

IPC: H10D84/03 , H10D84/85

Abstract: 提供了一种三维场效应晶体管和制造三维场效应晶体管的方法，该三维场效应晶体管包括堆叠在下场效应晶体管上的上场效应晶体管。该方法包括外延生长下场效应晶体管的源极/漏极区，在源极/漏极区的上表面上生长牺牲层，以及在牺牲层上外延生长上场效应晶体管的源极/漏极区。牺牲层是上场效应晶体管的源极/漏极区的籽晶层。该方法还包括选择性地蚀刻牺牲层以在下场效应晶体管的源极/漏极区和上场效应晶体管的源极/漏极区之间形成间隙，以及在间隙中沉积氧化层。

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