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发明公开
多波长选择方法、重叠测量方法和半导体器件制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117912975A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311145969.3

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任仁范 , 尹俊盛 , 李承润 , 李汀镇 , 黄燦

IPC: H01L21/66 , H01L21/67

Abstract: 提供了一种选择用于重叠测量的多波长、以准确地测量重叠的方法，以及使用多波长的重叠测量方法和半导体器件制造方法。选择用于重叠测量的多波长的方法包括：在设置的第一波长范围内的多个波长中的每一个波长，在晶片上的多个位置处测量重叠；从多个波长中选择模拟多个波长的重叠的代表性波长；以及分别向代表性波长分配权重。

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