公开(公告)号：CN110034099B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201810971335.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 姜相列 ,  曹圭镐 ,  林汉镇 ,  黄澈盛

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。

公开(公告)号：CN110034099A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201810971335.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  曹圭镐 ,  林汉镇 ,  黄澈盛

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。