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公开(公告)号：CN108932959A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810131724.8
申请日：2018-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/24 , G11C11/4078
CPC classification number: G11C11/40615 , G11C11/40611 , G11C11/408 , G11C7/24 , G11C11/4078
Abstract: 提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。
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公开(公告)号：CN108932959B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201810131724.8
申请日：2018-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/24 , G11C11/4078
Abstract: 提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。
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公开(公告)号：CN116072186A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211337685.X
申请日：2022-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开的是存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储块，所述存储块与多条字线连接；电压发生电路，所述电压发生电路被配置为通过多条驱动线来输出第一非选择电压；以及地址译码电路，所述地址译码电路被配置为将所述多条驱动线与所述多条字线中的未选字线连接。在所述多条字线的字线设置时段期间，所述电压发生电路在所述未选字线中的第一未选字线达到第一目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第一未选字线相对应的第一驱动线浮置，并且在所述未选字线中的第二未选字线达到与所述第一目标电平不同的第二目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第二未选字线相对应的第二驱动线浮置。
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公开(公告)号：CN113160868A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110012265.3
申请日：2021-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器设备包括：ECC电路；错误信息寄存器；刷洗控制电路，用于计数刷新行地址，并且每当计数N个刷新行地址时输出要对第一存储器单元行中的至少一个子页执行的刷洗操作的刷洗地址；以及控制逻辑电路，被配置为：控制ECC电路顺序地读取与第一码字相对应的数据，对第一码字执行错误检测，并基于所错误检测提供错误信息，错误信息指示第一码字中的错误发生计数；以及将错误信息记录在错误信息寄存器中，并基于错误信息选择性地确定是否将校正后的第一码字回写到存储有与第一码字相对应的数据的存储器位置。
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