公开(公告)号：CN114256242A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110919267.0

申请日：2021-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰弘 ,  朴在花 ,  金汶根 ,  黄定夏

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：至少一个半导体图案，包括在与半导体基底的顶表面平行的第二方向上延伸的水平部和在第一方向上延伸的竖直部；至少一个栅电极，在至少一个半导体图案的水平部上且在与第一方向和第二方向不同的第三方向上延伸；以及至少一个信息存储元件，连接到至少一个半导体图案的竖直部，其中，至少一个半导体图案的水平部的在第一方向上的厚度比至少一个半导体图案的竖直部的在第一方向上的厚度小。

公开(公告)号：CN116230627A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211501687.8

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄定夏 ,  郑煐陈 ,  裵西京

IPC: H01L21/768

Abstract: 可以提供一种半导体装置，所述半导体装置包括绝缘结构和在绝缘结构中的导电结构。导电结构包括阻挡层、在阻挡层上的抗迁移层、在抗迁移层上的衬垫、在衬垫上的导电层以及覆盖阻挡层的顶表面和抗迁移层的顶表面的盖层。盖层和衬垫包括Co。抗迁移层包括Mn。