公开(公告)号：CN118510284A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311627164.2

申请日：2023-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  朴相炫 ,  李气炘 ,  韩相宇

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基板；半导体图案，在基板上，并且包括具有第一导电类型的源极区域、具有第二导电类型的漏极区域以及在源极区域与漏极区域之间的本征区域；第一栅电极和第二栅电极，在本征区域上；铁电图案，在本征区域与第一栅电极和第二栅电极之间；以及栅极介电图案，在铁电图案与本征区域之间。

公开(公告)号：CN119451125A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410982377.5

申请日：2024-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明一镐 ,  劳寿星 ,  李承民 ,  韩相宇

IPC: H10B51/50 ,  H10B51/30 ,  H10B51/20

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底；模制结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，在第一方向上延伸并穿透模制结构，该沟道结构包括半导体图案、以及在半导体图案与多个栅电极之间的铁电膜；沟道焊盘，在沟道结构上；以及位线接触部，连接到沟道焊盘，其中，铁电膜的最上部突出超过多个栅电极之中的最上面的栅电极，沟道焊盘包括与半导体图案接触的第一部分、以及与第一部分和位线接触部接触的第二部分，第一部分具有第一宽度，并且第二部分具有比第一宽度大的第二宽度。