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公开(公告)号：CN118692928A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410304731.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/492
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：制备分别包括具有金属焊盘和电介质层的键合层的第一衬底和第二衬底；对第一衬底和第二衬底中的每一个的键合层的表面执行平面化工艺；将湿法原子层蚀刻应用于键合层的表面，使得金属焊盘的表面凹进至目标深度；以及利用退火工艺将第一衬底的键合层键合至第二衬底的键合层。
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