衬底处理系统
    1.
    发明公开
    衬底处理系统 审中-公开

    公开(公告)号:CN117806125A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202310948715.9

    申请日:2023-07-31

    Abstract: 衬底处理系统包括:涂布装置,被配置为在半导体衬底上涂布光刻胶膜;曝光装置,被配置为将光照射到光刻胶膜上以形成光刻胶图案区域;显影系统,被配置为从光刻胶膜去除除了光刻胶图案区域以外的不必要的区域以形成光刻胶图案,所述显影系统包括湿式显影装置和干式显影装置,所述湿式显影装置被配置为使用显影液来去除不必要的区域,所述干式显影装置被配置为使用显影气体来去除不必要的区域;清洁装置,包括清洁室并且被配置为去除在半导体衬底的边缘区域上的光刻胶膜或光刻胶图案的边缘球状物;以及加热装置,被配置为加热光刻胶膜或光刻胶图案。

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