荧光体及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103476902A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201280018413.1

    申请日:2012-02-06

    CPC classification number: C09K11/7728 C09K11/0883 C09K11/7734

    Abstract: 根据本发明一个实施例的荧光体具有如下组成式1:[组成式1]SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex,其中,x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50,Re为稀土元素。因此在根据本发明一个实施例的荧光体中,当锶的浓度为0.05mol~0.5mol时,可表现出525nm~537nm的短波长。并且,当铝的浓度较高时,可通过添加0.003mol~0.125mol范围的钡而表现出525nm~537nm的短波长。而且,当铝的浓度较高时,可通过将AlN和Al2O3一并作为铝前驱体添加而调节氧浓度,从而表现出525nm~537nm的短波长。结果,由于根据本发明一个实施例的荧光体可表现出525nm~537nm的短波长,因此可防止色彩再现性减弱及显色指数降低。

    荧光体及其制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103476902B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201280018413.1

    申请日:2012-02-06

    CPC classification number: C09K11/7728 C09K11/0883 C09K11/7734

    Abstract: 根据本发明一个实施例的荧光体具有如下组成式1:[组成式1]SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex,其中,x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50,Re为稀土元素。因此在根据本发明一个实施例的荧光体中,当锶的浓度为0.05mol~0.5mol时,可表现出525nm~537nm的短波长。并且,当铝的浓度较高时,可通过添加0.003mol~0.125mol范围的钡而表现出525nm~537nm的短波长。而且,当铝的浓度较高时,可通过将AlN和Al2O3一并作为铝前驱体添加而调节氧浓度,从而表现出525nm~537nm的短波长。结果,由于根据本发明一个实施例的荧光体可表现出525nm~537nm的短波长,因此可防止色彩再现性减弱及显色指数降低。

Patent Agency Ranking