公开(公告)号：CN101192532B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710196320.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  闵耀社 ,  申尚旻

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7883 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供了一种电荷捕获层、一种制造该电荷捕获层的方法和一种在半导体基底上包括该电荷捕获层的电荷捕获型半导体存储装置。这种制造电荷捕获层的方法包括：(a)在半导体基底的将要沉积的表面上涂覆第一前驱物材料，并将第一前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料形成的第一层；(b)在第一层上涂覆由金属特征的材料形成的第二前驱物材料；(c)在涂覆有第二前驱物材料的表面上供应第一前驱物材料，以用第一前驱物材料取代第二前驱物材料的一部分；(d)将在步骤(c)中获得的第一前驱物材料和第二前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料和金属杂质形成的第二层。对步骤(a)至步骤(d)执行至少一次，从而形成具有金属杂质被隔离在绝缘材料中的结构的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN101192532A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196320.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  闵耀社 ,  申尚旻

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7883 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供了一种电荷捕获层、一种制造该电荷捕获层的方法和一种在半导体基底上包括该电荷捕获层的电荷捕获型半导体存储装置。这种制造电荷捕获层的方法包括：(a)在半导体基底的将要沉积的表面上涂覆第一前驱物材料，并将第一前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料形成的第一层；(b)在第一层上涂覆由金属特征的材料形成的第二前驱物材料；(c)在涂覆有第二前驱物材料的表面上供应第一前驱物材料，以用第一前驱物材料取代第二前驱物材料的一部分；(d)将在步骤(c)中获得的第一前驱物材料和第二前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料和金属杂质形成的第二层。对步骤(a)至步骤(d)执行至少一次，从而形成具有金属杂质被隔离在绝缘材料中的结构的电荷捕获层。