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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110797306B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN201910331372.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括基板，基板具有沿第二方向交替布置的单元区域和电力区域。栅极结构沿第二方向延伸。栅极结构沿与第二方向垂直的第一方向彼此间隔开。接合层布置在每个栅极结构的两侧。接合层沿第二方向布置，使得每个接合层具有靠近电力区域的平坦部分。切割图案布置在电力区域中。切割图案沿第一方向延伸，使得相邻单元区域中的每个栅极结构和每个接合层通过切割图案彼此分离。
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公开(公告)号：CN110943080A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910609180.6
申请日：2019-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域，在衬底上沿第一方向延伸；掩埋导电层，在衬底上与有源区域相邻设置并沿第一方向延伸；栅电极，交叉有源区域并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源/漏层，在栅电极的一侧设置在有源区域上；栅隔离图案，设置在掩埋导电层上以与栅电极的一端相邻设置，并沿第一方向延伸；以及接触插塞，设置在源/漏层上、电连接到掩埋导电层并与栅隔离图案接触。
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公开(公告)号：CN110610992A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910259333.9
申请日：2019-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，通过第一隔离沟槽分离并在第一方向上延伸；第三鳍图案，在与第一方向相交的第二方向上与第一鳍图案间隔开并在第一方向上延伸；第四鳍图案，通过第二隔离沟槽与第三鳍图案分离；第一栅结构，与第一鳍图案相交，并且具有沿第一鳍图案的上表面延伸的部分；第二栅结构，与第二鳍图案相交，并且具有沿第二鳍图案的上表面延伸的部分；以及第一元件隔离结构，填充第二隔离沟槽，并且面对第一栅结构的短边。
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公开(公告)号：CN110943080B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201910609180.6
申请日：2019-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域，在衬底上沿第一方向延伸；掩埋导电层，在衬底上与有源区域相邻设置并沿第一方向延伸；栅电极，交叉有源区域并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源/漏层，在栅电极的一侧设置在有源区域上；栅隔离图案，设置在掩埋导电层上以与栅电极的一端相邻设置，并沿第一方向延伸；以及接触插塞，设置在源/漏层上、电连接到掩埋导电层并与栅隔离图案接触。
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公开(公告)号：CN110797306A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910331372.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件，包括基板，基板具有沿第二方向交替布置的单元区域和电力区域。栅极结构沿第二方向延伸。栅极结构沿与第二方向垂直的第一方向彼此间隔开。接合层布置在每个栅极结构的两侧。接合层沿第二方向布置，使得每个接合层具有靠近电力区域的平坦部分。切割图案布置在电力区域中。切割图案沿第一方向延伸，使得相邻单元区域中的每个栅极结构和每个接合层通过切割图案彼此分离。
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