公开(公告)号：CN120035165A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410780055.2

申请日：2024-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成锡 ,  金桑贤 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴俊赫 ,  吴在浚 ,  李政昱

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上并且包括与所述沟道层中包括的材料比具有不同的能带隙的材料；栅电极，所述栅电极位于所述阻挡层上；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电极之间；保护层，所述保护层位于所述阻挡层和所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述栅电极的两侧并且延伸穿过所述保护层，以覆盖所述沟道层和所述阻挡层的侧表面；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述保护层内，覆盖所述阻挡层和所述栅电极并且包括氮。

公开(公告)号：CN116581221A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310039587.6

申请日：2023-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李性郁 ,  皇甫秀珉 ,  金桑贤 ,  金有正 ,  李政昱 ,  崔慜煜

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种半导体发光装置和一种发光装置组件。该半导体发光装置包括：基础层；发光结构，其包括具有第一导电性的第一半导体层、有源层、和具有与第一导电性不同的第二电导率的第二半导体层；发光结构上的波长转换层；分离壁，其设置为邻近于波长转换层的侧表面；第一电极金属层，其在第一半导体层的下表面上，第一电极金属层包括反射结构；以及第二电极金属层，其经由穿过第一电极金属层、第一半导体层和有源层并且暴露第二半导体层的通孔电连接至第二半导体层，其中，半导体发光装置被配置为基于调整第二半导体层的上表面上的发光结构、反射结构、分离壁和发光结构中包括的结构中的至少一个在第一方向上实施渐变。